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Produktdetails:
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| photographischer Bereich ist: | × 2,4 2,4 Millimeter | Zahl von Pixeln: | 1 |
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| Abkühlung: | Nicht- abgekühlt | Eingekapselt: | Metall |
| Verkapselungsart ist: | TO-5 | ||
| Hervorheben: | S2386-5K photoelektrischer Infrarotsensor,Photoelektrischer Infrarotsensor 30 V,Silikon-Fotodioden-Sensor |
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Produkt-Beschreibung:
S2386-5K Silikon-Fotodioden-photometrische allgemeinhinbestimmung
Eigenschaften:
Passend, damit sichtbares Licht Infrarotband, photometrischer allgemeinhinbestimmung sich nähert
Produkteigenschaften
●Hohe Empfindlichkeit in sichtbarem, zum sich des Infrarotbandes zu nähern
●Niedriger Dunkelstrom
●Hohe Zuverlässigkeit
●Hohe Linearitäten
Maßzustand TYPE.TA =25 ℃ wenn nicht anders vermerkt Lichtempfindlichkeit: λ=960 Nanometer, Dunkelstrom: VR=10 Millivolt, Terminalkapazitanz: VR=0 V, f=10 kHz
Spezifikationen:
| Sperrspannung (Maximum) | 30 V |
| Spektralwartestrecke ist- | 320 bis 1100 Nanometer |
| Höchstempfindlichkeitswellenlänge (typischer Wert) | 960 Nanometer |
| Empfindlichkeit (typischer Wert) | 0,6 A/W |
| Dunkelstrom (Maximum) | PA 5 |
| Anstiegszeit (typischer Wert). | 1,8 u s |
| Kreuzungskapazitanz (typischer Wert) | 730 PF |
Ansprechpartner: Xu
Telefon: 86+13352990255
