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Photoelektrischer Infrarotsensor der Vorverstärker-S8746-01, integriertes Widerstand-Silikon Pin Fotodiode

Bescheinigung
CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. zertifizierungen
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Photoelektrischer Infrarotsensor der Vorverstärker-S8746-01, integriertes Widerstand-Silikon Pin Fotodiode

Photoelektrischer Infrarotsensor der Vorverstärker-S8746-01, integriertes Widerstand-Silikon Pin Fotodiode
Photoelektrischer Infrarotsensor der Vorverstärker-S8746-01, integriertes Widerstand-Silikon Pin Fotodiode

Großes Bild :  Photoelektrischer Infrarotsensor der Vorverstärker-S8746-01, integriertes Widerstand-Silikon Pin Fotodiode

Produktdetails:
Herkunftsort: Japan
Markenname: Hamamatsu
Modellnummer: S8746-01
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1
Verpackung Informationen: In einem Kasten
Lieferzeit: Tage 3-5work
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 311/pcs/pre

Photoelektrischer Infrarotsensor der Vorverstärker-S8746-01, integriertes Widerstand-Silikon Pin Fotodiode

Beschreibung
photographischer Bereich ist: 5,8 × 5.8mm Zahl von Pixeln: 1
Abkühlung und: Nicht- abgekühlt Eingekapselt: Metall
Material: Metallisch
Hervorheben:

Photoelektrischer Infrarotsensor S8746-01

,

Vorverstärker-photoelektrischer Infrarotsensor

,

Integriertes Widerstand-Silikon Pin Fotodiode

Produkt-Beschreibung:

Fotodioden des Silikon-S8746-01 mit integrierten Widerständen und Kondensatoren und Vorverstärker

Eigenschaften:

Eine Fotodiode mit integrierten Feedbackwiderständen und -kondensatoren für Vorverstärker

S8746-01 ist ein lärmarmer Sensor, der aus Fotodioden, die Operationsverstärker, Feedbackwiderstände und Kondensatoren besteht, ganz verpackt in einem Päckchen. Wenn es an eine Energiequelle angeschlossen wird, kann es für schwache helle Maße, wie Analysegeräte oder Messgeräte verwendet werden. Seine lichtempfindliche Oberfläche wird an das Boden-Ende angeschlossen, damit sie hohe EMC-Geräusche unterdrücken kann sehr.

Produkteigenschaften

Passend für genaue photometrische Bestimmung vom ultravioletten, sich Infrarot zu nähern

Kleines Metallgehäuse mit Quarzfenster: TO-8

Lichtempfindlicher Bereich: 5,8×5.8Millimeter

Eingebautes Rf=1 Gω Cf=5 PF

FET der geringen Energie gab OPampere ein

Lärmarmer, niedriger NEP

Externer Widerstand, zum des variablen Gewinnes zu erzielen

Paket mit der Abschirmung von Funktion

Emc-Rauschwiderstand

Spezifikationen:

Sperrspannung (Maximum) 20 V
Spektralwartestrecke ist- 190 bis 1100 Nanometer
Höchstempfindlichkeitswellenlänge (typischer Wert) 960 Nanometer
Gleichwertige Energie der Geräusche (typischer Wert) 15×10-15 W/Hz1/2
Maßzustände Art. Ta=25 ℃, F =10Hz, λ=λp, wenn nicht anders vermerkt

Photoelektrischer Infrarotsensor der Vorverstärker-S8746-01, integriertes Widerstand-Silikon Pin Fotodiode 0

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Photoelektrischer Infrarotsensor der Vorverstärker-S8746-01, integriertes Widerstand-Silikon Pin Fotodiode 2

Kontaktdaten
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Ansprechpartner: Xu

Telefon: 86+13352990255

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