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Produktdetails:
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| Fotografische Fläche: | × 2,4 2,4 Millimeter | Anzahl der Pixel: | 1 |
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| Kühlung: | Nicht gekühlt | Eingekapselt: | Metall |
| der Verkapselungstyp ist: | To-5 | Umkehrspannung (max): | 30V |
| Hervorheben: | S2386-5K photoelektrischer Infrarotsensor,Photoelektrischer Infrarotsensor 30 V,Silikon-Fotodioden-Sensor |
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Produktbeschreibung:
Nicht gekühlte Silizium-Fotodiode S2386-5K für den sichtbaren bis nahen IR-Bereich
Merkmale:
Geeignet für sichtbares Licht bis zum nahen Infrarotbereich, universelle photometrische Bestimmung
Produktmerkmale
● Hohe Empfindlichkeit im sichtbaren bis nahen Infrarotbereich
● Niedriger Dunkelstrom
● Hohe Zuverlässigkeit
● Hohe Linearität
Messbedingung TYP.TA =25℃, sofern nicht anders angegeben, Lichtempfindlichkeit: λ=960 nm, Dunkelstrom: VR=10 mV, Anschlusskapazität:VR=0 V, f=10 kHz
Spezifikationen:
| Sperrspannung (max.) | 30 V |
| Der spektrale Antwortbereich beträgt | 320 bis 1100 nm |
| Spitzenempfindlichkeitswellenlänge (typischer Wert) | 960 nm |
| Empfindlichkeit (typischer Wert) | 0,6 A/W |
| Dunkelstrom (maximal) | 5 pA |
| Anstiegszeit (typischer Wert). | 1,8 uns |
| Sperrschichtkapazität (typischer Wert) | 730 pF |
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Ansprechpartner: Xu
Telefon: 86+13352990255