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UVfotodioden-Sensor

CHINA UVfotodioden-Sensor

GS-UVV-3535LCW InGaN-basierter UV-Fotodiodensorsensor zur Messung von Kurungsstrahlung

Chipgröße:1 mm2

Paket:SMD 3535

Eigenschaften:Hochtransparentes Quarzfenster, hohe Empfindlichkeit, geringer dunkler Strom
Alternde rauch-UVentdeckung des Kasten-großen Gebiets UVder fotodioden-GT-UV405-LW GaN For

Chip Size:1 mm2

Verkapselung:TO46

Material:Saphirfenster, hohe Empfindlichkeit, niedriger Dunkelstrom
GS-UVB-3535LQC UVB SIC UV-Fotodioden-Sensor UV-B-Strahlendosismessung

Chipgröße:1 mm2

Paket:SMD 3535

Eigenschaften:Hochtransparentes Quarzfenster, hohe Empfindlichkeit, geringer dunkler Strom
Betrieb im PV-Modus mit UV-Fotodioden auf Basis von GT-UVV-LW InGaN

Chipgröße:1 mm2

Verkapselung:TO46

Wartewellenlänge:290 bis 440 nm
GS-UVC-3535LQC UVC Photodiode selektive Reaktion auf UVC-Band

Chipgröße:1 mm2

Paket:SMD 3535

Merkmale:Hochtransparentes Quarzfenster, hohe Empfindlichkeit, geringer dunkler Strom
GT-UVC-L UVC Photodiode Photovoltaikmodus Betrieb hohe Reaktionsfähigkeit und niedriger dunkler Strom

Verwendung:Tagblinde Detektor

Chipgröße:1 mm2

Paket:TO46
GS-ABC-2835S UV-Fotodiodensor Gallium-Photovoltaik-Betrieb

Chipgröße:0,11 mm2

Paket:SMD 2835

Merkmale:Hochtransparentes Quarzfenster, hohe Empfindlichkeit, geringer dunkler Strom
UVsensor GT-UVC-M der flammen-0.25mm2 für blinde UVsolarentdeckung

Verwenden:Tagblinde Detektor

Chipgröße ist:0,25 mm2

Paket:TO46
GS-ABC-5050XLQ GaN-basierte UV-Photodiode, photovoltaischer Betriebsmodus

Chipgröße:4 mm2

Paket:SMD 5050

Merkmale:Hochtransparentes Quarzfenster, hohe Empfindlichkeit, geringer dunkler Strom
G5645 GaAsP-Fotodioden-Diffusionsart Kurzwellen-Fotodioden

Fotografische Fläche:0.8 mal 0.8

Anzahl der Pixel:1

Paket:Metall
GS-ABC-3535LQC roter UVfotodioden-Sensor SMD 3535 für Wasserqualitäts-Entdeckung

Chip Size:1 mm2

Paket:SMD 3535

Eigenschaften:Hohes Fenster des transparenten Quarzes, hohe Empfindlichkeit, niedriger Dunkelstrom
GT-ABC-XL 370 Nanometer UV-Licht-Entdeckungs-Sensor für UVwasserqualitäts-Entdeckung

Chip Size:4mm2

Verkapselung:TO39

Eigenschaften:Saphirfenster, hohe Empfindlichkeit, niedriger Dunkelstrom

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CHINA UVfotodioden-Sensor

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GS-UVB-3535LQC UVB SIC UV-Fotodioden-Sensor UV-B-Strahlendosismessung

Betrieb im PV-Modus mit UV-Fotodioden auf Basis von GT-UVV-LW InGaN

GS-UVC-3535LQC UVC Photodiode selektive Reaktion auf UVC-Band

GT-UVC-L UVC Photodiode Photovoltaikmodus Betrieb hohe Reaktionsfähigkeit und niedriger dunkler Strom

GS-ABC-2835S UV-Fotodiodensor Gallium-Photovoltaik-Betrieb

UVsensor GT-UVC-M der flammen-0.25mm2 für blinde UVsolarentdeckung

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