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S12053-02 Si APD Kurzwellenlänge Typ Niedriggeräusch bei hoher UV-Empfindlichkeit

Bescheinigung
CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. zertifizierungen
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S12053-02 Si APD Kurzwellenlänge Typ Niedriggeräusch bei hoher UV-Empfindlichkeit

S12053-02 Si APD Kurzwellenlänge Typ Niedriggeräusch bei hoher UV-Empfindlichkeit
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Großes Bild :  S12053-02 Si APD Kurzwellenlänge Typ Niedriggeräusch bei hoher UV-Empfindlichkeit

Produktdetails:
Herkunftsort: Japan
Markenname: Hamamatsu
Modellnummer: S12053-02
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1
Preis: Verhandlungsfähig
Verpackung Informationen: Tasche
Lieferzeit: Tage 3-5work
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000 Stück/Monat

S12053-02 Si APD Kurzwellenlänge Typ Niedriggeräusch bei hoher UV-Empfindlichkeit

Beschreibung
Kurzwellenlänge: (Low-Bias-Operation) Lichtempfindlicher Bereich: φ0,2 mm
Eingekapselt: Metall der Verkapselungstyp ist: TO-18
Spitzenempfindlichkeitswellenlänge (typischer Wert): 620 Nanometer der Spektralwert beträgt: 200 bis 1000 nm
Hervorheben:

Foto-Diode des Silikon-S12053-02

,

Silikon-Foto-Diode lärmarm

,

APD-Lawinenphotodiode

Produktbeschreibung:

S12053-02 Si APD-Typ mit kurzer Wellenlänge, rauscharm im UV-Bereich, hohe Empfindlichkeit

 

Merkmale:

Kurzwellen-APD

Es verfügt über eine hohe Empfindlichkeit und ein geringes Rauschen im ultravioletten bis sichtbaren Bereich

Temperaturkoeffizient der Durchbruchspannung (typischer Wert) 0,14 V/

Gewinn (typischer Wert) 50

Testbedingung Typ.TA =25℃, sofern nicht anders angegeben, Lichtempfindlichkeit: λ=620 nm, M=1

Spezifikationen:

Die Empfindlichkeit (typischer Wert) betrug 0,42 A/W
Dunkelstrom (maximal) 5 nA
Grenzfrequenz (typischer Wert) 900 MHz
Sperrschichtkapazität (typischer Wert) 2 pF
Durchbruchspannung (typischer Wert) 150V

S12053-02 Si APD Kurzwellenlänge Typ Niedriggeräusch bei hoher UV-Empfindlichkeit

Kontaktdaten
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Ansprechpartner: Xu

Telefon: 86+13352990255

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