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Produktdetails:
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| photographischer Bereich ist: | 5,8 × 5.8mm | Zahl von Pixeln: | 1 |
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| Abkühlung und: | Nicht- abgekühlt | Eingekapselt: | Metall |
| Verkapselungsart ist: | TO-8 | ||
| Hervorheben: | S1226-8BQ photoelektrischer Infrarotsensor,Photoelektrische Sensor-Präzisions-Infrarotphotometrie,U-Art photoelektrischer Sensor |
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Produkt-Beschreibung:
S1226-8BQ Silikon-Fotodioden sind passend für UV für sichtbare helle Präzisions-Photometrie, NIR Sensitivity zu unterdrücken
Eigenschaften:
●Hohe UVempfindlichkeit: QE = 75% (λ=200 Nanometer)
●Unterdrücken Sie NIR-Empfindlichkeit
●Niedriger Dunkelstrom
●Hohe Zuverlässigkeit
PA maximale) 20 des Dunkelstroms (
Anstiegszeit (typischer Wert). 2 MU s
Kreuzungskapazitanz (typischer Wert) 1200 PF
Maßzustand Ta=25 ℃, Art. wenn nicht anders vermerkt Lichtempfindlichkeit: λ=720 Nanometer, Dunkelstrom: VR=10 Millivolt, Terminalkapazitanz: VR=0 V, f=10 kHz
Spezifikationen:
| Sperrspannung (Maximum) | 5V |
| Spektralwartestrecke ist- | 190 bis 1000 Nanometer |
| Höchstempfindlichkeitswellenlänge (typischer Wert) war | 720 Nanometer |
| Art | Infrarotfotoelektrizität |
Ansprechpartner: Xu
Telefon: 86+13352990255
