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Produktdetails:
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| photographischer Bereich ist: | 5,9 × 1.1mm | Zahl von Pixeln: | 1 |
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| Abkühlung und: | Nicht- abgekühlt | Eingekapselt: | Keramisch |
| Sperrspannung (Maximum): | 5V | ||
| Hervorheben: | S1227-16BQ photoelektrischer Infrarotsensor,Photoelektrischer Infrarotsensor 1000 Nanometer |
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Produkt-Beschreibung:
S1227-16BQ Silikon-Fotodioden werden für genaue Photometrie vom ultravioletten zum sichtbaren Licht benutzt
Eigenschaften:
Passend für UV für sichtbares Licht, photometrische Bestimmung der Präzision; Unterdrückung der Infrarotbandempfindlichkeit
Produkteigenschaften
●Hohe UVempfindlichkeit (Quarzfensterart): QE = 75% (λ=200 Nanometer)
●Hemmung der Infrarotbandempfindlichkeit
●Niedriger Dunkelstrom
Anstiegszeit (typischer Wert). 0,5 u s
Kreuzungskapazitanz (typischer Wert) 170 PF
Maßzustand Ta=25 ℃, Art. wenn nicht anders vermerkt Lichtempfindlichkeit: λ=720 Nanometer, Dunkelstrom: VR=10 Millivolt, Terminalkapazitanz: VR=0 V, f=10 kHz
Spezifikationen:
| Spektralwartestrecke ist- | 190 bis 1000 Nanometer |
| Höchstempfindlichkeitswellenlänge (typischer Wert) war | 720 Nanometer |
| Empfindlichkeit (typischer Wert) | 0,36 A/W |
| Dunkelstrom (Maximum) | PA 5 |
Ansprechpartner: Xu
Telefon: 86+13352990255
