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Produktdetails:
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| photographischer Bereich ist: | 5,8 × 5.8mm | Zahl von Pixeln: | 1 |
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| Abkühlung und: | Nicht- abgekühlt | Verkapselungsart ist: | TO-8 |
| Sperrspannung (Maximum): | 30V | ||
| Hervorheben: | S2386-8K photoelektrischer Infrarotsensor,Photoelektrischer Infrarotsensor 10 Millivolt,Silikon-Karbid-Fotodiode |
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Produkt-Beschreibung:
S2386-8K Silikon-Fotodioden werden für photometrische allgemeinhinbestimmung in sichtbarem benutzt, um sich Infrarotbändern zu nähern
Eigenschaften:
Passend, damit sichtbares Licht Infrarotband, photometrischer allgemeinhinbestimmung sich nähert
Produkteigenschaften
●Hohe Empfindlichkeit in sichtbarem, zum sich des Infrarotbandes zu nähern
●Niedriger Dunkelstrom
●Hohe Zuverlässigkeit
●Hohe Linearitäten
Anstiegszeit (typischer Wert). 10 MU s
Kreuzungskapazitanz (typischer Wert) 4300 PF
Maßzustand TYPE.TA =25 ℃ wenn nicht anders vermerkt Lichtempfindlichkeit: λ=960 Nanometer, Dunkelstrom: VR=10 Millivolt, Terminalkapazitanz: VR=0 V, f=10 kHz
Spezifikationen:
| Spektralwartestrecke ist- | 320 bis 1100 Nanometer |
| Höchstempfindlichkeitswellenlänge (typischer Wert) | 960 Nanometer |
| Empfindlichkeit (typischer Wert) | 0,6 A/W |
| Dunkelstrom (Maximum) | PA 50 |
Ansprechpartner: Xu
Telefon: 86+13352990255
