Produktdetails:
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Wärmeabbau: | Nicht gekühlt | Umkehrspannung (max.): | 10 V |
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Empfindlichkeitswellenlängenbereich: | 320 bis 1000 nm | Höchstempfindlichkeitswellenlänge (typischer Wert): | 720 Nm |
Hervorheben: | Sichtbare Siliziumphotodiode,Transparente Kunststoffverpackung Siliziumphotodiode |
Beschreibung des Produkts:
S6931-01 Siliziumphotodiode in transparenter Kunststoffverpackung, sichtbar bis zum nahen Infrarotband
Eigenschaften:
Siliziumphotodiode in eine transparente Kunststoffverpackung geformt
Besonderheit
- Sichtbar im nahen Infrarotband (unterdrückte Infrarotempfindlichkeit)
Detaillierte Parameter
Aufnahmefläche 2,4 × 2,8 mm
Kunststoffe aus Verkapselung
Paketkategorie --
Wärmeabbau nicht gekühlt
Umkehrspannung (max.) 10 V
Empfindlichkeitswellenlängenbereich 320 bis 1000 nm
Höchstempfindlichkeitswellenlänge (typischer Wert) 720 nm
Lichtempfindlichkeit (typischer Wert) 0,48 A/W
Dunkler Strom (max.) 20 pA
Aufstiegszeit (typischer Wert) 0,5 μs
Verbindungskapazität (typischer Wert) 200 pF
Typische Werte der Messbedingungen Ta=25°C, Lichtempfindlichkeit: λ = λp, dunkler Strom: VR = 1 V, Knotenkapazität: VR = 0 V, f = 10 kHz, sofern nicht anders angegeben
Merkmal für die Spektralempfindlichkeit
Spezifikationen:
Lichtempfindlichkeit (typischer Wert) | 0.48 A/W |
Dunkler Strom (max.) | 20 pA |
Aufstiegszeit (typischer Wert) | 0.5 μs |
Verbindungskapazität (typischer Wert) | 200 pF |
Ansprechpartner: Miss. Xu
Telefon: 86+13352990255