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Produktdetails:
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| Expected Operating Life: | Two years in air | Output Signal: | 1.70 ± 0.30 μA/ppm |
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| Resolution: | 0.1ppm | Temperature Range: | -40°C to +50°C |
| Hervorheben: | Sichtband-Silizium-Fotodiode,Infrarotband-Siliziumphotodiode |
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Beschreibung des Produkts:
S2387-33R Siliziumphotodiode eignet sich für Allzweckfotometer im sichtbaren bis Infrarotband
Eigenschaften:
4 Pixel Silizium-PIN-Fotodiode
Das S2387-66R ist eine vierpixlige Silizium-PIN-Fotodiode mit Empfindlichkeit im ultravioletten bis nahen Infrarot-Spektrum.zum Beispiel für die Ausrichtung des Laserstrahls.
Besonderheit
- Vier (2 × 2) Pixel Format
- Niedriges Überschallgeräusch: maximal 2%
- Breiter Spektralbereich: 190 bis 1000 nm
- Hochgeschwindigkeitsantwort: fc = 20 MHz
- TO-5 Metallpaket
Die Anzahl der Pixel beträgt 4 Segmente
Metall für die Verkapselung
Paketkategorie TO-5
Kühlsystem ohne Kühlung
Wellenlängenbereich der Empfindlichkeit 190 bis 1000 nm
Höchstempfindlichkeitswellenlänge (typischer Wert) 720 nm
Lichtempfindlichkeit (typischer Wert) 0,45A/W
Dunkler Strom (max.) 200 pA
Grenzfrequenz (typischer Wert) 20 MHz
Verbindungskapazität (typisch) 25 pF
Messbedingungen Typischer Wert Ta = 25°C, sofern nicht anders angegeben,
Für jedes Pixel (mit Ausnahme der lichtempfängenden Oberfläche) Empfindlichkeit: λ = λp, dunkler Strom: VR = 5V, Ausschnittfrequenz: VR = 5V, Knotenkapazität: VR = 5V, f = 1MHz
Spezifikationen:
| Lichtempfindlichkeit (typischer Wert) | 0.45A/W |
| Dunkler Strom (max.) | 200 pA |
| Aufstiegszeit (typischer Wert) | 2 μs |
| Verbindungskapazität (typischer Wert) | 25 pF |
Ansprechpartner: Miss. Xu
Telefon: 86+13352990255
