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Produktdetails:
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| Receiving surface: | 5.8 × 5.8 mm | Reverse voltage (Max.): | 5V |
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| Photosensitivity (typical value): | 0.62 A/W | Dark current (Max.): | 100 pA |
| Hervorheben: | Präzisionsfotometrie Siliziumphotodiode |
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Beschreibung des Produkts:
S1337-66BR Siliziumphotodiode eignet sich für die Präzisionsfotometrie in Ultraviolett- bis Infrarotbanden
Eigenschaften:
geeignet für präzise Photometrie im Ultraviolett-Infrarotband
Aufnahmefläche 5,8 × 5,8 mm
Keramik aus Kapseln
Paketkategorie --
Kühlsystem ohne Kühlung
Umkehrspannung (max.) 5 V
Spektraler Ansprechbereich 340 bis 1100 nm
Höchstempfindlichkeitswellenlänge (typischer Wert) 960 nm
Lichtempfindlichkeit (typischer Wert) 0,62 A/W
Dunkler Strom (max.) 100 pA
Aufstiegszeit (typischer Wert) 1 μs
Verbindungskapazität (typisch) 380 pF
Geräuschäquivalentleistung (typischer Wert) 1,0 × 10-14 W/Hz1/2
Typische Werte der Messbedingungen Ta=25°C, Lichtempfindlichkeit: λ = 960 nm, dunkler Strom: VR = 10 mV, Knotenkapazität: VR = 0 V, f = 10 kHz, sofern nicht anders angegeben
Spezifikationen:
| Spektraler Ansprechbereich | 340 bis 1100 nm |
| Höchstempfindlichkeitswellenlänge (typischer Wert) | 960 nm |
| Lichtempfindlichkeit (typischer Wert) | 0.5A /W |
| Dunkler Strom (max.) | 100 pA |
Ansprechpartner: Miss. Xu
Telefon: 86+13352990255
