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Produktdetails:
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| Photosensitivity (typical value): | 0.5A /W | Dark current (Max.): | 50 pA |
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| Rise time (typical value): | 0.2μs | Junction capacitance (typical): | 65 pF |
| Hervorheben: | Niedrigkapazitätige Siliziumphotodiode |
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Beschreibung des Produkts:
S1337-16BQ Niedrigkapazität Silizium-Photodiode ist geeignet für die Präzisionsfotometrie in Ultraviolett-Infrarot-Bändern
Eigenschaften:
Aufnahmefläche 5,9 × 1,1 mm
Keramik aus Kapseln
Paketkategorie --
Kühlsystem ohne Kühlung
Umkehrspannung (max.) 5 V
Spektraler Ansprechbereich von 190 bis 1100 nm
Höchstempfindlichkeitswellenlänge (typischer Wert) 960 nm
Lichtempfindlichkeit (typischer Wert) 0,5A/W
Dunkler Strom (max.) 50 pA
Aufstiegszeit (typischer Wert) 0,2 μs
Verbindungskapazität (typisch) 65 pF
Geräuschäquivalentleistung (typischer Wert) 1,0 × 10-14 W/Hz1/2
Typische Werte der Messbedingungen Ta=25°C, Lichtempfindlichkeit: λ = 960 nm, dunkler Strom: VR = 10 mV, Knotenkapazität: VR = 0 V, f = 10 kHz, sofern nicht anders angegeben
Spezifikationen:
| Spektraler Ansprechbereich | 190 bis 1100 nm |
| Höchstempfindlichkeitswellenlänge (typischer Wert) | 960 nm |
| Lichtempfindlichkeit (typischer Wert) | 0.5A /W |
| Dunkler Strom (max.) | 50 pA |
Ansprechpartner: Miss. Xu
Telefon: 86+13352990255
