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Produktdetails:
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| Receiving surface: | 5.8 × 5.8 mm | Package category: | TO-8 |
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| Reverse voltage (Max.): | 5V | Dark current (Max.): | 20 pA |
| Hervorheben: | Ultraviolette Siliziumphotodiode,Hochverlässliche Silizium-Fotodiode,Präzisionsfotometrie Siliziumphotodiode |
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Beschreibung des Produkts:
S1226-8BK Hochzuverlässige Silizium-Photodiode eignet sich für die Präzisionsfotometrie von ultraviolettem bis sichtbarem Licht
Eigenschaften:
Geeignet für die Präzisionsfotometrie in ultraviolettem bis sichtbarem Wellenlänge; Unterdrückung der Empfindlichkeit bei Nahinfrarot
Besonderheit
- Hohe UV-Empfindlichkeit: QE = 75% (λ = 200 nm)
- Unterdrückung der Empfindlichkeit im Nahen Infrarot
- Niedriger dunkler Strom.
- Hohe Zuverlässigkeit
Aufnahmefläche 5,8 × 5,8 mm
Metall für die Verkapselung
Paketkategorie TO-8
Kühlsystem ohne Kühlung
Umkehrspannung (max.) 5 V
Spektraler Ansprechbereich 320 bis 1000 nm
Höchstempfindlichkeitswellenlänge (typischer Wert) 720 nm
Lichtempfindlichkeit (typischer Wert) 0,36A/W
Dunkler Strom (max.) 20 pA
Aufstiegszeit (typischer Wert) 2 μs
Verbindungskapazität (typisch) 1200 pF
Geräuschäquivalentleistung (typischer Wert) 5,0×10-15 W/Hz1/2
Messbedingungen Ta = 25°C, typischer Wert, Empfindlichkeit: λ = 720 nm, dunkler Strom: VR = 10 mV, Knotenkapazität: VR = 0 V, f = 10 kHz, sofern nicht anders angegeben
Spezifikationen:
| Spektraler Ansprechbereich | 320 bis 1000 nm |
| Höchstempfindliche Wellenlänge | 720 nm |
| Lichtempfindlichkeit (typischer Wert) | 0.36A /W |
| Dunkler Strom (max.) | 20 pA |
Ansprechpartner: Miss. Xu
Telefon: 86+13352990255
