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Produktdetails:
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| Pakcage: | TO-18 | Umkehrspannung VR Max: | 30V |
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| Betriebstemperatur: | -40 bis +100 ℃ | Lagertemperatur: | -55 zu +125℃ |
| Hervorheben: | Generell genutzte Photodiodensensoren,Sichtbarer Photodiodensensor,Nahe IR-Fotodioden-Sensor |
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S2386-18L Si-Fotodiode für die allgemeine Photometrie mit sichtbarer bis nahe IR-Fotometrie
Eigenschaften
Hohe Empfindlichkeit im sichtbaren bis nahen Infrarotbereich
Niedriger dunkler Strom
Hohe Zuverlässigkeit
Überlegene Linearität
Anwendungen
Analyseinstrumente
Optische Messgeräte
| Spektraler Ansprechbereich | 320 bis 1100 nm |
| Spitzenempfindlichkeitswellenlänge | 960 nm |
| Lichtempfindlichkeit | GaP-LED 560 nm 0.38 He-Ne-Laser 633nm 0.43 Die GaAs-LED 930 nm 0.59 |
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Ansprechpartner: Xu
Telefon: 86+13352990255