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Silikon-Fotodioden S1337-33BR S1337-66BR Niedrigkapazität

Bescheinigung
CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. zertifizierungen
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Silikon-Fotodioden S1337-33BR S1337-66BR Niedrigkapazität

Silikon-Fotodioden S1337-33BR S1337-66BR Niedrigkapazität
Silikon-Fotodioden S1337-33BR S1337-66BR Niedrigkapazität Silikon-Fotodioden S1337-33BR S1337-66BR Niedrigkapazität

Großes Bild :  Silikon-Fotodioden S1337-33BR S1337-66BR Niedrigkapazität

Produktdetails:
Herkunftsort: Japan
Modellnummer: S1337-33BR S1337-66BR
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1
Verpackung Informationen: Papierkiste
Lieferzeit: 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 5000 Stück

Silikon-Fotodioden S1337-33BR S1337-66BR Niedrigkapazität

Beschreibung
Lichtempfangseite: 5.8 × 5,8 mm Verkapselung: Keramik
Abkühlung: nicht gekühlt Umkehrspannung (max): 5 V
Spektraler Ansprechbereich: 340 bis 1100 nm Dunkler Strom (maximal): 100 pA
Hervorheben:

Niedrigkapazitätige Siliziumphotodioden

,

S1337-66BR Siliziumphotodioden

,

S1337-33BR Siliziumphotodioden

Silikon-Fotodioden S1337-66BR

Es eignet sich für präzise Photometrie im ultravioletten bis infraroten Band

Eigenschaften
- Niedrige Kapazität

Höchstempfindliche Wellenlänge (typisch) 960 nm
Lichtempfindlichkeit (typisch) 0.62 A/W
Aufstiegszeit (typisch) 1 μs
Verbindungskapazität (typisch) 380 pF
Geräuschäquivalentleistung (typisch) 1.0 × 10- 14 JahreW/Hz1 / 2

Silikon-Fotodioden S1337-33BR S1337-66BR Niedrigkapazität 0

Silikonfotodioden S1337-33BR

Es eignet sich für präzise Photometrie im ultravioletten bis infraroten Band

Eigenschaften
- Niedrige Kapazität

Lichtempfangseite 2.4 × 2,4 mm
Verkapselung Keramik
Lichtempfindlichkeit (typisch) 0.62 A/W
Dunkler Strom (maximal) 30 pA
Aufstiegszeit (typisch) 0.2 μs
Verbindungskapazität (typisch) 65 pF

Silikon-Fotodioden S1337-33BR S1337-66BR Niedrigkapazität 1

Kontaktdaten
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Ansprechpartner: Miss. Xu

Telefon: 86+13352990255

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