YJJ S4111-35Q Silizium-Fotodioden-Array wird im Ultravioletten bis Nahen Infrarotband verwendet

Beschreibung des Produkts:

S4111-35Q Silizium-Fotodioden-Array wird im Ultraviolett bis nahe Infrarotband verwendet

Eigenschaften:

Ein 35-Pixel-Silizium-Fotodioden-Array, geeignet für das ultraviolette bis nahe Infrarotband

S4111-35Q ist ein lineares Array von Silizium-Fotodioden, das in einem keramischen DIP (dual in-line package) installiert ist.mit einer Breite des Spektrums von ultraviolettem bis nahe Infrarotlicht. Da alle Pixel die umgekehrte Verzerrung des Ladungsspeicherlesens übernehmen können, kann der S4111-35Q geringes Licht mit hoher Empfindlichkeit erkennen.Es kann als Lichtempfängerfenster zum Anschließen von speziellen Filtern (auf maßgeschneiderte Produkte) verwendet werden.

Eigenschaften

- Sehr exponierte Oberfläche

Niedriges Übertragungsspiel

Stärkere Nahinfrarotempfindlichkeit

Niedriger dunkler Strom

Pixelgröße (jeder Pixel): 0,9 × 4,4 mm

Anzahl der Pixel: 35

Keramik für Verkapselung

Verpackungskategorie: 40-Pin-DIP

Es gibt keinen Scintillator

Kältemittel ohne Kühlung

Umkehrspannung (maximaler Wert) 15 V

Das Wellenlängenbereich der Empfindlichkeit beträgt 190 bis 1100 nm

Die maximale Empfindlichkeitswellenlänge (typischer Wert) beträgt 960 nm.

Lichtempfindlichkeit (typischer Wert): 0,58 A/W

Dunkler Strom (maximaler Wert) 10 pA

Aufstiegszeit (typischer Wert) 1,2 μs

Verbindungskapazität (typischer Wert) 550 pF

Der typische Wert der Messbedingung Ta = 25°C, sofern nicht anders angegeben

Für jedes Pixel Lichtempfindlichkeit: λ = 960 nm, dunkler Strom: VR=10 mV, Aufstiegszeit: VR=0 V, Verbindungskapazität: VR=0 V

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SSpezifikationen: