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Produktdetails:
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| Umkehrspannung: | 10 V | Betriebstemperatur: | -10 bis +60 °C |
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| Speichertemperatur: | -20 bis +70 °C | Spektraler Ansprechbereich: | 480 bis 660 Nm |
| Spitzenempfindlichkeitswellenlänge: | 550 Nanometer | Fotoempfindlichkeit: | 0.38 A/W |
| Hervorheben: | Hochempfindliche Si-Fotodiode,550 nm Si-Fotodiode,480 bis 660 nm Si-Fotodiode |
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Si-Fotodiode S7686
Photodiode mit einer Empfindlichkeit nahe der Spektrallichtwirksamkeit
S7686 ist eine Si-Fotodiode mit einer Spektralreaktionscharakteristik, die der menschlichen Augenempfindlichkeit ähnlicher ist (spektraler Lichteffizienz)
Wir haben eine Reihe von Anwendungen, bei denen wir uns mit der Anlage beschäftigen, und wir haben auch eine Reihe von Anwendungen, bei denen wir uns mit der Anlage beschäftigen.
Eigenschaften:
Spektraler Ansprechwert analog zur CIE-Spektralen Lichtwirksamkeit
Spektralbereich: 480 bis 660 nm
Spitzenempfindlichkeitswellenlänge: 550 nm
Keramikverpackung für die Zuverlässigkeit
Aktivfläche: 2,4 × 2,8 mm
Hochgeschwindigkeitsantwort: 0,5 μs (VR=0 V, RL=1 kΩ)
fs-Wert: 8 % Typ. (vertikale Lichtzuführung)
Anwendungen:
Lichtmesser
Lichtmesser
| Kurzschlussstrom | 0.45 μA |
| Dunkler Strom | 2 pA |
| Aufstiegszeit | 0.5 μs |
| Endkapazität | 200 pF |
Ansprechpartner: Miss. Xu
Telefon: 86+13352990255
