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Produktdetails:
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| Größe der aktiven Fläche: | 2.4x2.8 | Effektives Aktivgebiet: | 6,6 |
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| Umgekehrte Spannung VR Max.: | 10 | Betriebstemperatur TOPR: | -10 bis +60 |
| Speichertemperatur: | -20 bis +70 | Temperaturkoeffizient von lD TCID: | 1.12 |
| Hervorheben: | Fotodiode aus Keramik,S1133-14 Fotodiode,S1133-01 Fotodiode |
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S1133 S1133-14 S1133-01 Si-Fotodiode
Die S1087/S1133-Serie sind Keramik-Paket-Fotodioden, die einen niedrigen dunklen Strom bieten.
Dies erlaubt zuverlässige optische Messungen im sichtbaren bis nahen Infrarotbereich über eine breite Bandbreite.
dynamischer Bereich von niedrigem bis hohem Lichtpegel.
Eigenschaften:
S1087, S1133: Für den sichtbaren Bereich
S1087-01, S1133-01: Für den IR-Sichtbereich
S1133-14: Für den sichtbaren bis nahe IR-Bereich
Anwendungen:
Expositionsmesser
Lichtmesser
Kamera-Autobelichtung
Stroboskoplichtsteuerung
Kopierer
Anzeige Lichtsteuerung
Optischer Schalter
S1133:
| Spektraler Ansprechbereich | 320 bis 730 nm |
| Spitzenempfindlichkeitswellenlänge | 560 nm |
| Fotoempfindlichkeit S | 0.3 |
| Infrarotempfindlichkeitsquote | 10 |
| Temperaturkoeffizient von lD TCID | 1.12 |
| Aufstiegszeit tr VR=O V RL=1 kQ | 2.5 |
S1133-14:
| Spektraler Ansprechbereich | 320 bis 1000 nm |
| Spitzenempfindlichkeitswellenlänge | 720 nm |
| Fotoempfindlichkeit S | 0.4 |
| Infrarotempfindlichkeitsquote | 10 |
| Temperaturkoeffizient von lD TCID | 0.1 |
| Aufstiegszeit tr VR=O V RL=1 kQ | 0.5 |
S1133-01:
| Spektraler Ansprechbereich | 320 bis 1100 nm |
| Spitzenempfindlichkeitswellenlänge | 960 nm |
| Fotoempfindlichkeit S | 0.58 |
| Infrarotempfindlichkeitsquote | 10 |
| Temperaturkoeffizient von lD TCID | 0.1 |
| Aufstiegszeit tr VR=O V RL=1 kQ | 2.5 |
Ansprechpartner: Miss. Xu
Telefon: 86+13352990255
