YJJ G12180-003A InGaAs PIN-Fotodiode-Gehäuse für NDIR-Gasanalysatoren & Nahinfrarotspektroskopie

Produktbeschreibung:

YJJ G12180-003A InGaAs PIN-Fotodiode-Gehäuse für NDIR-Gasanalysator & Nahinfrarotspektroskopie

Merkmale:

Empfindliche Fläche: φ1mm

Produkteigenschaften

Geringes Rauschen

Geringe Sperrschichtkapazität

Geringer Dunkelstrom

Empfindliche Fläche: φ1mm

Detaillierter Parameter

Die empfindliche Fläche beträgt φ1mm

Die Anzahl der Pixel beträgt 1

Gehäuse Metall

Gehäusetyp: TO-18

Kühlmodus Nicht gekühlt

Spektraler Antwortbereich ist 0,9 bis 1,7 μm

Die Wellenlänge der Spitzenempfindlichkeit (typischer Wert) beträgt 1,55 μm

Lichtempfindlichkeit (typischer Wert) 1,1 A/W

Dunkelstrom (Max.) 4 nA

Grenzfrequenz (typischer Wert) 60 MHz

Sperrschichtkapazität (typischer Wert) 55 pF

Rauschäquivalente Leistung (typischer Wert) 1,4×10-14 W/Hz1/2

Typ. Ta=25 ℃, sofern nicht anders angegeben, Lichtempfindlichkeit: λ=λp, Dunkelstrom: VR= 5V, Grenzfrequenz: VR= 5V, RL= 50Ω, -3 dB, Anschlusskapazität: VR= 5V, f= 1MHz.

Spezifikationen: