logo
Referenzen |
Startseite ProduktePhotoelektrischer Infrarotsensor

G12183-003K Hochleistungs-Indium-Gallium-Arsenid (InGaAs) PIN-Fotodiode für optische Leistungsmesser und Laserleistungserkennung

Alle Produkte

Sauerstoff-Gas-Sensor

(205)

Elektrochemischer Gas-Sensor

(15)

Gas-Sensor

(1419)

Kohlendioxyd-Sensor

(16)

Elektronischer Gas-Analysator

(73)

Medizinisches Luftmengenmesser

(176)

FeuchtigkeitsTemperaturfühler

(109)

Elektronischer Druck-Sensor

(501)

Hall Effect Sensor

(59)

GEGENWÄRTIGER SENSOR

(49)

Photoelektrischer Infrarotsensor

(194)

UVfotodioden-Sensor

(82)

Andere Sensoren

(216)

Gas-Sensor-Modul

(7)
Bescheinigung
CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. zertifizierungen
CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. zertifizierungen
Ich bin online Chat Jetzt

G12183-003K Hochleistungs-Indium-Gallium-Arsenid (InGaAs) PIN-Fotodiode für optische Leistungsmesser und Laserleistungserkennung

G12183-003K Hochleistungs-Indium-Gallium-Arsenid (InGaAs) PIN-Fotodiode für optische Leistungsmesser und Laserleistungserkennung
G12183-003K Hochleistungs-Indium-Gallium-Arsenid (InGaAs) PIN-Fotodiode für optische Leistungsmesser und Laserleistungserkennung G12183-003K Hochleistungs-Indium-Gallium-Arsenid (InGaAs) PIN-Fotodiode für optische Leistungsmesser und Laserleistungserkennung G12183-003K Hochleistungs-Indium-Gallium-Arsenid (InGaAs) PIN-Fotodiode für optische Leistungsmesser und Laserleistungserkennung G12183-003K Hochleistungs-Indium-Gallium-Arsenid (InGaAs) PIN-Fotodiode für optische Leistungsmesser und Laserleistungserkennung G12183-003K Hochleistungs-Indium-Gallium-Arsenid (InGaAs) PIN-Fotodiode für optische Leistungsmesser und Laserleistungserkennung G12183-003K Hochleistungs-Indium-Gallium-Arsenid (InGaAs) PIN-Fotodiode für optische Leistungsmesser und Laserleistungserkennung G12183-003K Hochleistungs-Indium-Gallium-Arsenid (InGaAs) PIN-Fotodiode für optische Leistungsmesser und Laserleistungserkennung

Großes Bild :  G12183-003K Hochleistungs-Indium-Gallium-Arsenid (InGaAs) PIN-Fotodiode für optische Leistungsmesser und Laserleistungserkennung

Produktdetails:
Herkunftsort: Japan
Modellnummer: G12183-003K
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1
Preis: Verhandlungsfähig
Verpackung Informationen: Papierbox
Lieferzeit: 3-5work Tage
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 5000 Stück
Kontakt

G12183-003K Hochleistungs-Indium-Gallium-Arsenid (InGaAs) PIN-Fotodiode für optische Leistungsmesser und Laserleistungserkennung

Beschreibung
Pakettyp: TO-18 Montageart: Durchgangsloch (3-polig)
Anzahl der Pins: 3 Stifte Fensterabmessung: 3,0 ± 0,1 mm
Führungs-Durchmesser: 0,45 mm Distanz: -0,2 ≤x≤+0,2 mm
Hervorheben:

InGaAs-PIN-Fotodiode für optische Leistungsmessgeräte

,

Hochleistungs-InGaAs-Fotodiodenlaserdetektion

,

Infrarotfotoelektrische Sensoren mit InGaAs-Technologie

 

    G12183-003K Hochleistungs-Indiumgalliumarsenid (InGaAs) PIN-Fotodiode für optische Leistungsmesser und Laserleistungsdetektion

 

 

Merkmale:


InGaAs PIN-Fotodiode für Langstrecken-Nahinfrarotdetektion
Breiter Spektralbereich: 0,9 µm bis 2,6 µm
Hohe Empfindlichkeit bei einer Spitzenwellenlänge von 2,3 µm
Hohe Empfindlichkeit: 1,0 bis 1,3 A/W
Kleine aktive Fläche: φ0,3 mm
Niedriger Dunkelstrom für verbessertes Signal-Rausch-Verhältnis
Kompaktes TO-18-Metallgehäuse
Gute Ansprechgeschwindigkeit und geringes Rauschen
Betriebstemperatur: -40°C bis +85°C
RoHS-konform
Geeignet für ungekühlten Betrieb

 

 

 

Anwendungen:


Optische Leistungsmesser
Gasanalysatoren
Feuchtigkeitsmesser
NIR (Nahinfrarot) Photometrie & Spektroskopie
Überwachung industrieller Prozesse
Umweltanalytik
Testen optischer Kommunikationssysteme

 

 

Parameter

Min

Typ

Max

Einheit

Testbedingung
Spektraler Ansprechbereich 0,9 - 2,6 μm Ta=25°C
Spitzenempfindlichkeitswellenlänge - 2,3 - μm Ta=25°C
Fotometrische Empfindlichkeit (Responsivität) 1,0 1,3 - A/W Bei λ=2,3 μm, Ta=25°C
Dunkelstrom - 0,4 4 μA Vr=0,5 V, Ta=25°C
Dunkelstrom-Temperaturkoeffizient - 1,035 - mal/°C Vr=0,5 V
Grenzfrequenz - 50 - MHz Ta=25°C
Anschlusskapazität - 50 100 pF Vr=0 V, f=10 kHz
Sperrspannung (Max.) - - 1 V Ta=25°C
Parallelwiderstand 20 - 100 kΩ Ta=25°C
Betriebstemperaturbereich -40 - +85 °C Vollständige Spezifikation
Lagertemperaturbereich -55 - +125 °C -
Lichtempfindliche Fläche - φ0,3 - mm -
Anzahl der Elemente - 1 - - -
Löttemperatur - - 260 °C ≤10s Dauer
Fenstermaterial - Borosilikatglas - - -

 

G12183-003K Hochleistungs-Indium-Gallium-Arsenid (InGaAs) PIN-Fotodiode für optische Leistungsmesser und Laserleistungserkennung 0

Größe und Tag:

Photoelektrischer Infrarotsensor R9533,

Rgb-Farb-Sensor,

UVTRON-Flammen-Sensor

Kontaktdaten
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Ansprechpartner: Miss. Xu

Telefon: 86+13352990255

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

über

Sauerstoff-Gas-Sensor

Elektrochemischer Gassensor 5FO AAA32-400 Elektrochemischer Gassensor Sauerstoff Fünf Serie 2 Jahre in der Luft

2FO AA625-180 Luftsauerstoffsensor Verbrennungswirksamkeit für Festgasdetektor

O2-C2 Sauerstoffgassensor Elektrochemischer O2-Sensor für Sauerstoffalarm Zwei Jahre Lebensdauer

Elektrochemischer Gas-Sensor

4NH3-500 CLE-1052-4000 Ammoniak Elektrochemische Gassensor 500 PPM

KE-25 KE-50 Elektrochemischer Sauerstoffgassensor

5SF AD526-W00 Elektrochemischer Gassensor für Schwefeldioxid 2000ppm 5er Reihe

NACHRICHT HINTERLASSEN

Datenschutz-Bestimmungen | CHINA Gut Qualität Sauerstoff-Gas-Sensor Fournisseur. © 2022 - 2026 ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.. All Rights Reserved.
vr