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Produktdetails:
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| Typ: | Nahinfrarot (Low-Bias-Betrieb) | Größe des aktiven Bereichs: | φ0,2 mm |
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| Verpackungsmaterial: | Metall | Pakettyp: | TO-18 |
| Hervorheben: | Infrarot-Sensor mit Siliziumavalanche-Fotodiode,Infrarot-Fotodiode mit geringer Verzerrung,Infrarot-Fotoelektrischer Sensor mit Garantie |
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S12023-02-01 Silikonavalanche-Fotodiode Infrarot-Niedrigverzerrungsoperation
Diese Siliziumlawinengliederdiode (Si APD) ist für den nahen Infrarotbereich (800 nm Band) ausgelegt und arbeitet bei niedrigen Spannungen von 200 V oder weniger.Es eignet sich für Anwendungen wie optische Fernmessgeräte und optische Freiraumkommunikation.
Eigenschaften:
・Stabiler Betrieb bei niedriger Verzerrungsspannung
・Schnelle Antwortgeschwindigkeit
・Hohe Empfindlichkeit und geringer Lärm
Spezifikation:
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Wellenlänge der Spitzenempfindlichkeit (typisch)
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800 nm |
| Wellenlängenbereich der Empfindlichkeit | 400 ‰ 1000 nm |
| Lichtempfindlichkeit (typisch) | 0.5 A/W |
| Maximaler dunkler Strom | 0.5 nA |
| Frequenz der Abgrenzung (typisch) | 1000 MHz |
| Typische Endkapazität | 1 pF |
| Ausfallspannung (typisch) | 150 V |
| Abbruchspannungstemperaturkoeffizient (typisch) | 0.65 V/°C |
| Multiplikationsfaktor (typisch) | 100 |
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Ansprechpartner: Xu
Telefon: 86+13352990255