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Produktdetails:
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| photographischer Bereich ist: | 5,8 × 5.8mm | Zahl von Pixeln: | 1 |
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| Abkühlung und: | Nicht- abgekühlt | Eingekapselt: | Keramisch |
| Sperrspannung (Maximum): | 5V | Spektralwartestrecke ist-: | 190 bis 1100 Nanometer |
| Hervorheben: | S1337-66BQ,Infrarotsilikon-Fotodetektor |
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Produkt-Beschreibung:
S1337-66BQ wird Infrarotsilikon-Fotodiode für genaue photometrische Bestimmung im ultravioletten zum Infrarotband benutzt
Eigenschaften:
Passend für genaue photometrische Bestimmung vom ultravioletten für Infrarotband
Hohe UVempfindlichkeit: QE = 75% (λ=200 Nanometer)
Niedrige Kapazitanz
Maßzustände: Ta=25 ℃, Art. wenn nicht anders vermerkt Lichtempfindlichkeit: λ=960 Nanometer, Dunkelstrom: VR=10 Millivolt, Anstiegszeit: VR=0 V, Terminalkapazitanz: VR=0 V, f=10 kHz
Spezifikationen:
| Höchstempfindlichkeitswellenlänge (typischer Wert) | 960 Nanometer |
| Empfindlichkeit (typischer Wert) | 0,5 A/W |
| Dunkelstrom (Maximum) | PA 100 |
| Anstiegszeit (typischer Wert) | 1 MU s |
| Kreuzungskapazitanz (typischer Wert) |
380 PF
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Ansprechpartner: Xu
Telefon: 86+13352990255
