|
Produktdetails:
|
| Fotografische Fläche: | 10 × 10 mm | Anzahl der Pixel: | 1 |
|---|---|---|---|
| Kühl- und: | Nicht gekühlt | Eingekapselt: | aus Keramik |
| Umkehrspannung (max.): | 5 V | Spektraler Ansprechbereich ist 190 bis 1100: | 190 bis 1100 Nm |
| Hervorheben: | S1337-1010BQ,Lawinenphotodiode des großen Gebiets |
||
Beschreibung des Produkts:
S1337-1010BQ Siliziumphotodiode zur Präzisionsfotometrie von UV bis IR mit niedriger Kapazität
Eigenschaften:
geeignet für die präzise fotometrische Bestimmung von ultraviolettem bis rotem Band
Produktmerkmale
Hohe UV-Empfindlichkeit: QE = 75%λ=200 nm)
Niedrige Kapazität
Messbedingung Ta=25°C, typisch, sofern nicht anders angegeben, Lichtempfindlichkeit: λ=960 nm, dunkler Strom: VR=10 mV, Aufstiegszeit:VR=0 V, Endkapazität: VR=0 V, f=10 kHz
Spezifikationen:
| Spitzenempfindlichkeitswellenlänge (typischer Wert) | 960 nm |
| Empfindlichkeit (typischer Wert) | 0.5 A/W |
| Dunkler Strom (maximal) | 200 pA |
| Aufstiegszeit (typischer Wert) | 3 mu s |
| Verbindungskapazität (typischer Wert) |
1100 pF
|
Ansprechpartner: Xu
Telefon: 86+13352990255
