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Produktdetails:
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| Fotografische Fläche: | 20,8 × 2,4 mm | Anzahl der Pixel: | 1 |
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| Kühl- und: | Nicht gekühlt | Eingekapselt: | aus Keramik |
| Hervorheben: | Photoelektrischer Sensor S7686 IR,Photoelektrischer Sensor 550 Nanometer IR,Strahln-photoelektrischer Infrarotdetektor |
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Beschreibung des Produkts:
S7686 SI-Fotodiodensensor mit einer Empfindlichkeit nahe der Spektrallichtwirksamkeit
Eigenschaften:
S7686 is a silicon photodiode whose spectral response characteristics are closer to the sensitivity (spectral luminescence efficiency) of the human eye than traditional visible light compensation sensors (S1133, etc.).
Die Spektralantwort ist ähnlich wie die CIE-Spektral-Lumineszenzeffizienz
Keramikverpackung, hohe Zuverlässigkeit
Fotofläche: 2.4× 2,8 mm
Hochgeschwindigkeitsantwort: 0,5 US (VR=0 V, RL=1 k)Oh)
Fs-Wert: 8% typischer Wert (vertikale Lichtbelastung)
Aufstiegszeit (typischer Wert).0.5 u s
Verbindungskapazität (typischer Wert) 200 pF
Messbedingung TYP.TA = 25°C, sofern nicht anders angegeben,Fotosensitivität: λ=λp, Dunkelstrom: VR=1V, Endkapazität:VR=0 V, f=10 kHz
Spezifikationen:
| Umkehrspannung (max.) | 10 V |
| der Spektralwert beträgt | 480 bis 660 nm |
| Spitzenempfindlichkeitswellenlänge (typischer Wert) | 550 nm |
| Empfindlichkeit (typischer Wert) | 0.38 A/W |
| Dunkler Strom (maximal) | 20 pA |
Ansprechpartner: Xu
Telefon: 86+13352990255
