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Produktdetails:
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| Fotografische Fläche: | × 2,4 2,4 Millimeter | Kühl- und: | Nicht gekühlt |
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| Eingekapselt: | Metall | der Verkapselungstyp ist: | TO-5 |
| Hervorheben: | S1336-5BQ photoelektrischer Infrarotsensor,Ultravioletter photoelektrischer Infrarotsensor,Photoelektrischer reflektierender Sensor |
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Beschreibung des Produkts:
S1336-5BQ Siliziumphotodiode UV bis NIR für die Präzisionsfotometrie
Eigenschaften:
geeignet für die präzise fotometrische Bestimmung von ultraviolettem bis nahen Infrarot
Eigenschaften
● Hohe Empfindlichkeit im ultravioletten Band
Niedrig, niedrige Kapazität
● Hochverlässlichkeit
Aufstiegszeit (typischer Wert).0.2 u s
Verbindungskapazität (typischer Wert) 65 pF
Messbedingung Ta=25°C, typisch, sofern nicht anders angegeben, Lichtempfindlichkeit: λ=960 nm, dunkler Strom: VR=10 mV, Aufstiegszeit:VR=0 V, Endkapazität: VR=0 V, f=10 kHz
Spezifikationen:
| Umkehrspannung (max.) | 5V |
| der Spektralwert beträgt | 190 bis 1100 nm |
| Spitzenempfindlichkeitswellenlänge (typischer Wert) | 960 nm |
| Empfindlichkeit (typischer Wert) | 0.5 A/W |
| Dunkler Strom (maximal) | 30 pA |
Ansprechpartner: Xu
Telefon: 86+13352990255
