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Produktdetails:
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| photographischer Bereich ist: | × 2,4 2,4 Millimeter | Zahl von Pixeln: | 1 |
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| Abkühlung und: | Nicht- abgekühlt | Eingekapselt: | Metall |
| Verkapselungsart ist: | TO-5 | ||
| Hervorheben: | S1336-5BQ photoelektrischer Infrarotsensor,Ultravioletter photoelektrischer Infrarotsensor,Photoelektrischer reflektierender Sensor |
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Produkt-Beschreibung:
S1336-5BQ Silikon-Fotodioden werden für genaue photometrische Bestimmung vom ultravioletten benutzt, um sich Infrarot zu nähern
Eigenschaften:
Passend für genaue photometrische Bestimmung vom ultravioletten, sich Infrarot zu nähern
Eigenschaften
●Hohe Empfindlichkeit im ultravioletten Band
Niedrige niedrige Kapazitanz
●Hohe Zuverlässigkeit
Anstiegszeit (typischer Wert). 0,2 u s
Kreuzungskapazitanz (typischer Wert) 65 PF
Maßzustand Ta=25 ℃, Art. wenn nicht anders vermerkt Lichtempfindlichkeit: λ=960 Nanometer, Dunkelstrom: VR=10 Millivolt, Anstiegszeit: VR=0 V, Terminalkapazitanz: VR=0 V, f=10 kHz
Spezifikationen:
| Sperrspannung (Maximum) | 5V |
| Spektralwartestrecke ist- | 190 bis 1100 Nanometer |
| Höchstempfindlichkeitswellenlänge (typischer Wert) | 960 Nanometer |
| Empfindlichkeit (typischer Wert) | 0,5 A/W |
| Dunkelstrom (Maximum) | PA 30 |
Ansprechpartner: Xu
Telefon: 86+13352990255
