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Produktdetails:
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| Empfindlichkeitswellenlängenbereich: | 200 bis 1000 nm | Lichtempfindlichkeit (typischer Wert): | 0.42 A/W |
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| Dunkler Strom (max.): | Na 5 | Grenzfrequenz (typischer Wert): | 900 MHZ |
| Hervorheben: | Silikon-APD-Avalanche-Fotodiode,Kurzwellenlängen-APD,Die Angabe des Zulassungsdatums ist in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 zu finden. |
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Beschreibung des Produkts:
S12053-02 Silikon-APD-Avalanche-Fotodiode mit kurzer Wellenlänge
Eigenschaften:
Besonderheit
- Hohe Empfindlichkeit und geringer Lärm im UV- bis sichtbaren Bereich
Typ Kurzwellenlänge
(Low-Bias-Operation)
Aufnahmefläche φ0,2 mm
Metall für die Verkapselung
Paketkategorie TO-18
Höchstempfindlichkeitswellenlänge (typischer Wert) 620 nm
Wellenlängen von 200 bis 1000 nm
Lichtempfindlichkeit (typischer Wert) 0,42 A/W
Dunkler Strom (max.) 5 nA
Grenzfrequenz (typischer Wert) 900 MHz
Verbindungskapazität (typisch) 2 pF
Ausfallspannung (typischer Wert) 150 V
Abbruchspannungskoeffizient (typischer Wert) 0,14 V/°C
Gewinnrate (typischer Wert) 50
Messbedingungen Typischer Wert Ta = 25°C, sofern nicht anders angegeben,
Empfindlichkeit: λ = 620 nm, M = 1
Spezifikationen:
| Umkehrspannung (max.) | 5 nA |
| Spektraler Ansprechbereich | 200 bis 1000 nm |
| Höchstempfindlichkeitswellenlänge (typischer Wert) | 620 nm |
| Gewinnrate (typischer Wert) | 50 |
Ansprechpartner: Miss. Xu
Telefon: 86+13352990255
