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YJJ S12053-10 Silizium-APD-Avalanche-Fotodiode mit kurzer Wellenlänge

Bescheinigung
CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. zertifizierungen
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YJJ S12053-10 Silizium-APD-Avalanche-Fotodiode mit kurzer Wellenlänge

YJJ S12053-10 Silizium-APD-Avalanche-Fotodiode mit kurzer Wellenlänge
YJJ S12053-10 Silizium-APD-Avalanche-Fotodiode mit kurzer Wellenlänge YJJ S12053-10 Silizium-APD-Avalanche-Fotodiode mit kurzer Wellenlänge YJJ S12053-10 Silizium-APD-Avalanche-Fotodiode mit kurzer Wellenlänge YJJ S12053-10 Silizium-APD-Avalanche-Fotodiode mit kurzer Wellenlänge YJJ S12053-10 Silizium-APD-Avalanche-Fotodiode mit kurzer Wellenlänge

Großes Bild :  YJJ S12053-10 Silizium-APD-Avalanche-Fotodiode mit kurzer Wellenlänge

Produktdetails:
Herkunftsort: Japan
Markenname: HAMAMATSU
Modellnummer: S12053-10
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1
Verpackung Informationen: Rohrleitung
Lieferzeit: 3 Tage
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 2200

YJJ S12053-10 Silizium-APD-Avalanche-Fotodiode mit kurzer Wellenlänge

Beschreibung
Dunkler Strom (max.): Na 5 Grenzfrequenz (typischer Wert): 900 MHZ
Verbindungskapazität (typisch): 2 PF Ausfallspannung (typischer Wert): 150 V
Hervorheben:

Silikon-APD-Avalanche-Fotodiode

,

Kurzwellenlängen-APD

Beschreibung des Produkts:

S12053-10 Silikon-APD-Avalanche-Fotodiode mit kurzer Wellenlänge

Eigenschaften:

Besonderheit

- Hohe Empfindlichkeit und geringer Lärm im UV- bis sichtbaren Bereich

Typ Kurzwellenlänge

(Low-Bias-Operation)

Aufnahmefläche φ0,2 mm

Metall für die Verkapselung

Paketkategorie TO-18

Höchstempfindlichkeitswellenlänge (typischer Wert) 620 nm

Wellenlängen von 200 bis 1000 nm

Lichtempfindlichkeit (typischer Wert) 0,42 A/W

Dunkler Strom (max.) 5 nA

Grenzfrequenz (typischer Wert) 900 MHz

Verbindungskapazität (typisch) 2 pF

Ausfallspannung (typischer Wert) 150 V

Abbruchspannungskoeffizient (typischer Wert) 0,14 V/°C

Gewinnrate (typischer Wert) 50

Messbedingungen Typischer Wert Ta = 25°C, sofern nicht anders angegeben,

Empfindlichkeit: λ = 620 nm, M = 1

Spezifikationen:

Umkehrspannung (max.) 5 nA
Spektraler Ansprechbereich 200 bis 1000 nm
Höchstempfindlichkeitswellenlänge (typischer Wert) 620 nm
Gewinnrate (typischer Wert) 50

YJJ S12053-10 Silizium-APD-Avalanche-Fotodiode mit kurzer Wellenlänge 0

Kontaktdaten
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Ansprechpartner: Miss. Xu

Telefon: 86+13352990255

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