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Produktdetails:
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| Photosensitivity (typical value): | 1.3 A/W | Dark current (Max.): | 30000 nA |
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| Cut-off frequency (typical value): | 6 MHz | Junction capacitance (typical value): | 500 pF |
| Hervorheben: | InGaAs-PIN-Fotodiode mit langer Wellenlänge,2.6 μm InGaAs-PIN-Fotodiode |
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Beschreibung des Produkts:
G12183-010K InGaAs PIN-Fotodiode Langwellenlänge Typ (Schnittwellenlänge: 2,6 μm)
Eigenschaften:
Lange Wellenlänge (Schnittwellenlänge: 2,6 μm)
Besonderheit
- Wellenlänge der Abgrenzung: 2,6 μm
- Niedrige Kosten
- Aufnahmefläche: φ1 mm
- Niedriges Geräusch
- Hohe Empfindlichkeit
- Hohe Zuverlässigkeit
- Hochgeschwindigkeitsreaktion
Aufnahmefläche φ1,0 mm
Anzahl der Pixel 1
Metall für die Verkapselung
Paketkategorie TO-18
Wärmeabbau nicht gekühlt
Empfindlichkeitswellenlängenbereich 0,9 bis 2,6 μm
Höchstempfindlichkeitswellenlänge (typischer Wert) 2,3 μm
Lichtempfindlichkeit (typischer Wert) 1,3 A/W
Dunkler Strom (max.) 30000 nA
Grenzfrequenz (typischer Wert) 6 MHz
Verbindungskapazität (typischer Wert) 500 pF
Geräuschäquivalentleistung (typischer Wert) 1 × 10-12 W/Hz1/2
Typischer Wert der Messbedingungen Tc = -25°C, sofern nicht anders angegeben, Empfindlichkeit: λ = λp, dunkler Strom: VR = 0,5V, Abschnittsfrequenz: VR = 0V, RL = 50Ω, Knotenkapazität: VR = 0V,f = 1MHz
Spezifikationen:
| Paketkategorie | TO18 |
| Empfindlichkeitswellenlängenbereich | 00,9 bis 2,6 μm |
| Höchstempfindlichkeitswellenlänge (typischer Wert) | 2.3 μm |
| Lichtempfindlichkeit (typischer Wert) | 1.3 A/W |
Ansprechpartner: Miss. Xu
Telefon: 86+13352990255
