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Silikonfotodioden S1226-18BK S1226-18BQ Unterdrückung der NIR-Empfindlichkeit

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Silikonfotodioden S1226-18BK S1226-18BQ Unterdrückung der NIR-Empfindlichkeit

Silikonfotodioden S1226-18BK S1226-18BQ Unterdrückung der NIR-Empfindlichkeit
Silikonfotodioden S1226-18BK S1226-18BQ Unterdrückung der NIR-Empfindlichkeit Silikonfotodioden S1226-18BK S1226-18BQ Unterdrückung der NIR-Empfindlichkeit

Großes Bild :  Silikonfotodioden S1226-18BK S1226-18BQ Unterdrückung der NIR-Empfindlichkeit

Produktdetails:
Herkunftsort: Japan
Modellnummer: S1226-18BK S1226-18BQ
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1
Verpackung Informationen: Papierkiste
Lieferzeit: 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 5000 Stück
Kontakt

Silikonfotodioden S1226-18BK S1226-18BQ Unterdrückung der NIR-Empfindlichkeit

Beschreibung
Lichtempfangseite: 1.1 × 1,1 mm Verkapselung: Metall
Paketkategorie: TO-18 Abkühlung: nicht gekühlt
Umkehrspannung (max): 5 V Spektraler Ansprechbereich: 320 bis 1000 nm
Hervorheben:

S1226-18BQ Siliziumphotodioden

,

NIR-Empfindlichkeit Silizium-Fotodioden

,

S1226-18BK Siliziumphotodioden

Silikon-Pin-Fotodioden S1226-18BK

Es eignet sich für präzise Photometrie im ultravioletten bis sichtbaren Wellenlängenband; unterdrückt die Empfindlichkeit im Nahen Infrarot

Eigenschaften
- Hohe UV-Empfindlichkeit: QE = 75 % (λ = 200 nm)
- Unterdrückung der NIR-Empfindlichkeit
- Niedriger dunkler Strom.
- Hohe Zuverlässigkeit

Höchstempfindliche Wellenlänge (typisch) 720 nm
Lichtempfindlichkeit (typisch) 0.36 A/W
Dunkler Strom (maximal) 2pA
Aufstiegszeit (typisch) 0.15 μs
Verbindungskapazität (typisch) 35 pF
Geräuschäquivalentleistung (typisch) 1.6 × 10- 15 Jahre.W/Hz1 / 2

Silikonfotodioden S1226-18BK S1226-18BQ Unterdrückung der NIR-Empfindlichkeit 0

Silikon-Pin-Fotodioden S1226-18BQ

Es eignet sich für präzise Photometrie im ultravioletten bis sichtbaren Wellenlängenband; unterdrückt die Empfindlichkeit im Nahen Infrarot

Eigenschaften
- Hohe UV-Empfindlichkeit: QE = 75 % (λ = 200 nm)
- Unterdrückung der NIR-Empfindlichkeit
- Niedriger dunkler Strom.
- Hohe Zuverlässigkeit

Lichtempfangseite 1.1 × 1,1 mm
Verkapselung Metall
Paketkategorie TO-18
Umkehrspannung (max) 5 V
Spektraler Ansprechbereich 190 bis 1000 nm
Lichtempfindlichkeit (typisch) 0.36 A/W

Silikonfotodioden S1226-18BK S1226-18BQ Unterdrückung der NIR-Empfindlichkeit 1

Größe und Tag:

Photoelektrischer Infrarotsensor R9533,

Rgb-Farb-Sensor,

UVTRON-Flammen-Sensor

Kontaktdaten
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Ansprechpartner: Miss. Xu

Telefon: 86+13352990255

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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