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Produktdetails:
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| Lichtempfangseite: | × 2,4 2,4 Millimeter | Verkapselung: | Metall |
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| Paketkategorie: | TO-5 | Abkühlung: | nicht gekühlt |
| Umkehrspannung (max): | 5 V | Spektraler Ansprechbereich: | 320 bis 1000 nm |
| Hervorheben: | S1226-5BQ Silikon-Pin-Fotodioden,S1226-5BK Silikon-Pin-Fotodioden,NIR-Empfindlichkeit Silikon-Pin-Fotodioden |
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Silikonfotodioden S1226-5BK
Es eignet sich für präzise Photometrie im ultravioletten bis sichtbaren Wellenlängenband; unterdrückt die Empfindlichkeit im Nahen Infrarot
Eigenschaften
- Hohe UV-Empfindlichkeit: QE = 75 % (λ = 200 nm)
- Unterdrückung der NIR-Empfindlichkeit
- Niedriger dunkler Strom.
- Hohe Zuverlässigkeit
| Höchstempfindliche Wellenlänge (typisch) | 720 nm |
| Lichtempfindlichkeit (typisch) | 0.36 A/W |
| Dunkler Strom (maximal) | 5 pA |
| Aufstiegszeit (typisch) | 0.5 μs |
| Verbindungskapazität (typisch) | 160 pF |
| Geräuschäquivalentleistung (typisch) | 2.5 × 10- 15 Jahre.W/Hz1 / 2 |
Silikonfotodioden S1226-5BQ
Es eignet sich für präzise Photometrie im ultravioletten bis sichtbaren Wellenlängenband; unterdrückt die Empfindlichkeit im Nahen Infrarot
Eigenschaften
- Hohe UV-Empfindlichkeit: QE = 75 % (λ = 200 nm)
- Unterdrückung der NIR-Empfindlichkeit
- Niedriger dunkler Strom.
- Hohe Zuverlässigkeit
| Lichtempfangseite | 2.4 × 2,4 mm |
| Verkapselung | Metall |
| Lichtempfindlichkeit (typisch) | 0.36 A/W |
| Verbindungskapazität (typisch) | 160 pF |
| Spektraler Ansprechbereich | 190 bis 1000 nm |
| Höchstempfindliche Wellenlänge (typisch) | 720 nm |
Ansprechpartner: Miss. Xu
Telefon: 86+13352990255
