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Produktdetails:
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| Lichtempfangseite: | 5.8 × 5,8 mm | Verkapselung: | Keramik |
|---|---|---|---|
| Abkühlung: | nicht gekühlt | Umkehrspannung (max): | 5 V |
| Spektraler Ansprechbereich: | 190 bis 1100 Nm | Lichtempfindlichkeit (typisch): | 0.5 A/W |
| Hervorheben: | Niedrigkapazitätige Siliziumphotodioden,S1337-66BQ Siliziumphotodioden,S1337-33BQ Siliziumphotodioden |
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Silikonfotodioden S1337-66BQ
Es eignet sich für präzise Photometrie im ultravioletten bis infraroten Band
Eigenschaften
- Hohe UV-Empfindlichkeit: QE 75% (λ=200 nm)
- Niedrige Kapazität
| Höchstempfindliche Wellenlänge (typisch) | 960 nm |
| Dunkler Strom (maximal) | 100 pA |
| Aufstiegszeit (typisch) | 1 μs |
| Verbindungskapazität (typisch) | 380 pF |
| Geräuschäquivalentleistung (typisch) | 1.3×10-14 W/Hz1/2 |
Silikonfotodioden S1337-33BQ
Es eignet sich für präzise Photometrie im ultravioletten bis infraroten Band
Eigenschaften
- Hohe UV-Empfindlichkeit: QE 75% (λ=200 nm)
- Niedrige Kapazität
| Lichtempfangseite | 2.4 × 2,4 mm |
| Verkapselung | Keramik |
| Kühlung | nicht gekühlt |
| Umkehrspannung (max) | 5 V |
| Spektraler Ansprechbereich | 190 bis 1100 nm |
| Lichtempfindlichkeit (typisch) | 0.5 A/W |
Ansprechpartner: Miss. Xu
Telefon: 86+13352990255
