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Produktdetails:
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| Lichtempfangseite: | 10 × 10 mm | Verkapselung: | Keramik |
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| Abkühlung: | nicht gekühlt | Umkehrspannung (max): | 5 V |
| Spektraler Ansprechbereich: | 190 bis 1100 Nm | Dunkler Strom (maximal): | PA 200 |
| Hervorheben: | Niedrigkapazitätige Siliziumphotodioden,S1337-1010BR Siliziumphotodioden,S1337-1010BQ Siliziumphotodioden |
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Silikonfotodioden S1337-1010BQ
Es eignet sich für präzise Photometrie im ultravioletten bis infraroten Band
Eigenschaften
- Hohe UV-Empfindlichkeit: QE 75% (λ=200 nm)
- Niedrige Kapazität
| Höchstempfindliche Wellenlänge (typisch) | 960 nm |
| Lichtempfindlichkeit (typisch) | 0.5 A/W |
| Aufstiegszeit (typisch) | 3 μs |
| Verbindungskapazität (typisch) | 1100 pF |
| Geräuschäquivalentleistung (typisch) | 1.8 × 10- 14 JahreW/Hz1 / 2 |
Silikonfotodioden S1337-1010BR
Es eignet sich für präzise Photometrie im ultravioletten bis infraroten Band
Eigenschaften
- Niedrige Kapazität
| Lichtempfangseite | 10 × 10 mm |
| Verkapselung | Keramik |
| Spektraler Ansprechbereich | 340 bis 1100 nm |
| Höchstempfindliche Wellenlänge (typisch) | 960 nm |
| Lichtempfindlichkeit (typisch) | 0.62 A/W |
| Dunkler Strom (maximal) | 200 pA |
Ansprechpartner: Miss. Xu
Telefon: 86+13352990255
