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Nichtgekühlte Siliziumphotodioden S1227-33BQ S1227-33BR Spektralreaktionsbereich 190 bis 1000 nm und unterdrückte IR-Empfindlichkeit

Name: Nichtgekühlte Siliziumphotodioden S1227-33BQ S1227-33BR Spektralreaktionsbereich 190 bis 1000 nm und unterdrückte IR-Empfindlichkeit
Brand: ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.
SKU: S1227-33BQ S1227-33BR
Price: 18.00 USD
Availability: InStock

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Nichtgekühlte Siliziumphotodioden S1227-33BQ S1227-33BR Spektralreaktionsbereich 190 bis 1000 nm und unterdrückte IR-Empfindlichkeit

Großes Bild : Nichtgekühlte Siliziumphotodioden S1227-33BQ S1227-33BR Spektralreaktionsbereich 190 bis 1000 nm und unterdrückte IR-Empfindlichkeit

Produktdetails:

Herkunftsort:	Japan
Modellnummer:	S1227-33BQ S1227-33BR

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge:	1
Verpackung Informationen:	Papierkiste
Lieferzeit:	3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen:	L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:	5000 Stück

Kontakt

Nichtgekühlte Siliziumphotodioden S1227-33BQ S1227-33BR Spektralreaktionsbereich 190 bis 1000 nm und unterdrückte IR-Empfindlichkeit

Beschreibung

Lichtempfangseite:	× 2,4 2,4 Millimeter	Verkapselung:	Keramik
Abkühlung:	nicht gekühlt	Umkehrspannung (max):	5 V
Spektraler Ansprechbereich:	190 bis 1000 Nm	Lichtempfindlichkeit (typisch):	0.36 A/W
Hervorheben:	mit einer Breite von nicht mehr als 20 mm , Unterdrückte IR-Silizium-Fotodioden , S1227-33BQ Siliziumphotodioden

Silikonfotodioden S1227-33BQ

Es eignet sich für präzise Photometrie im ultravioletten bis sichtbaren Wellenlängenband; unterdrückt Infrarotempfindlichkeit

Eigenschaften
- Hohe UV-Empfindlichkeit (Quarzfenster): QE = 75 % (λ = 200 nm)
- Unterdrückte IR-Empfindlichkeit
- Niedriger dunkler Strom.

Geräuschäquivalentleistung (typisch)	2.5 × 10- 15 Jahre.W/Hz1 / 2
Verbindungskapazität (typisch)	160 pF
Aufstiegszeit (typisch)	0.5 μs
Dunkler Strom (maximal)	5 pA
Höchstempfindliche Wellenlänge (typisch)	720 nm

Nichtgekühlte Siliziumphotodioden S1227-33BQ S1227-33BR Spektralreaktionsbereich 190 bis 1000 nm und unterdrückte IR-Empfindlichkeit 0

Silikon-Fotodioden S1227-33BR

Es eignet sich für präzise Photometrie im ultravioletten bis sichtbaren Wellenlängenband; unterdrückt Infrarotempfindlichkeit

Eigenschaften
- Harzpotten
Typ - Unterdrückung der Infrarotempfindlichkeit
- Niedriger dunkler Strom.

Lichtempfangseite	2.4 × 2,4 mm
Umkehrspannung (max)	5 V
Spektraler Ansprechbereich	340 bis 1000 nm
Lichtempfindlichkeit (typisch)	0.43 A/W
Dunkler Strom (maximal)	5 pA
Aufstiegszeit (typisch)	0.5 μs

Nichtgekühlte Siliziumphotodioden S1227-33BQ S1227-33BR Spektralreaktionsbereich 190 bis 1000 nm und unterdrückte IR-Empfindlichkeit 1

Größe und Tag:

Ansprechpartner: Miss. Xu

Telefon: 86+13352990255

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