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Silikonfotodioden S1227-66BQ S1227-66BR Unterdrückte IR-Empfindlichkeit

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Silikonfotodioden S1227-66BQ S1227-66BR Unterdrückte IR-Empfindlichkeit

Silikonfotodioden S1227-66BQ S1227-66BR Unterdrückte IR-Empfindlichkeit
Silikonfotodioden S1227-66BQ S1227-66BR Unterdrückte IR-Empfindlichkeit Silikonfotodioden S1227-66BQ S1227-66BR Unterdrückte IR-Empfindlichkeit Silikonfotodioden S1227-66BQ S1227-66BR Unterdrückte IR-Empfindlichkeit

Großes Bild :  Silikonfotodioden S1227-66BQ S1227-66BR Unterdrückte IR-Empfindlichkeit

Produktdetails:
Herkunftsort: Japan
Modellnummer: S1227-66BQ S1227-66BR
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1
Verpackung Informationen: Papierkiste
Lieferzeit: 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 5000 Stück
Kontakt

Silikonfotodioden S1227-66BQ S1227-66BR Unterdrückte IR-Empfindlichkeit

Beschreibung
Lichtempfangseite: 5.8 × 5,8 mm Verkapselung: Keramik
Abkühlung: nicht gekühlt Umkehrspannung (max): 5 V
Spektraler Ansprechbereich: 190 bis 1000 Nm Lichtempfindlichkeit (typisch): 0.36 A/W
Hervorheben:

S1227-66BQ Siliziumphotodioden

,

Silikonfotodioden mit unterdrückter IR-Empfindlichkeit

,

S1227-66BR Siliziumphotodioden

Silikonfotodioden S1227-66BQ

Es eignet sich für präzise Photometrie im ultravioletten bis sichtbaren Wellenlängenband; unterdrückt Infrarotempfindlichkeit

Eigenschaften
- Hohe UV-Empfindlichkeit (Quarzfenster): QE = 75 % (λ = 200 nm)
- Unterdrückte IR-Empfindlichkeit
- Niedriger dunkler Strom.

Geräuschäquivalentleistung (typisch) 5.0 × 10- 15 Jahre.W/Hz1 / 2
Verbindungskapazität (typisch) 950 pF
Aufstiegszeit (typisch) 2 μs
Dunkler Strom (maximal) 20 pA
Lichtempfindlichkeit (typisch) 0.36 A/W

Silikonfotodioden S1227-66BQ S1227-66BR Unterdrückte IR-Empfindlichkeit 0

Silikon-Fotodioden S1227-66BR

Es eignet sich für präzise Photometrie im ultravioletten bis sichtbaren Wellenlängenband; unterdrückt Infrarotempfindlichkeit

Eigenschaften
- Harzpotten
Typ - Unterdrückung der Infrarotempfindlichkeit
- Niedriger dunkler Strom.

Lichtempfangseite 5.8 × 5,8 mm
Verkapselung Keramik
Kühlung nicht gekühlt
Umkehrspannung (max) 5 V
Spektraler Ansprechbereich 340 bis 1000 nm
Höchstempfindliche Wellenlänge (typisch) 720 nm

Silikonfotodioden S1227-66BQ S1227-66BR Unterdrückte IR-Empfindlichkeit 1

Größe und Tag:

Photoelektrischer Infrarotsensor R9533,

Rgb-Farb-Sensor,

UVTRON-Flammen-Sensor

Kontaktdaten
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Ansprechpartner: Miss. Xu

Telefon: 86+13352990255

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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