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Produktdetails:
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| Lichtempfangseite: | 5.8 × 5,8 mm | Verkapselung: | Keramik |
|---|---|---|---|
| Abkühlung: | nicht gekühlt | Umkehrspannung (max): | 5 V |
| Spektraler Ansprechbereich: | 190 bis 1000 Nm | Lichtempfindlichkeit (typisch): | 0.36 A/W |
| Hervorheben: | S1227-66BQ Siliziumphotodioden,Silikonfotodioden mit unterdrückter IR-Empfindlichkeit,S1227-66BR Siliziumphotodioden |
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Silikonfotodioden S1227-66BQ
Eigenschaften
- Hohe UV-Empfindlichkeit (Quarzfenster): QE = 75 % (λ = 200 nm)
- Unterdrückte IR-Empfindlichkeit
- Niedriger dunkler Strom.
| Geräuschäquivalentleistung (typisch) | 5.0 × 10- 15 Jahre.W/Hz1 / 2 |
| Verbindungskapazität (typisch) | 950 pF |
| Aufstiegszeit (typisch) | 2 μs |
| Dunkler Strom (maximal) | 20 pA |
| Lichtempfindlichkeit (typisch) | 0.36 A/W |
Silikon-Fotodioden S1227-66BR
Es eignet sich für präzise Photometrie im ultravioletten bis sichtbaren Wellenlängenband; unterdrückt Infrarotempfindlichkeit
Eigenschaften
- Harzpotten
Typ - Unterdrückung der Infrarotempfindlichkeit
- Niedriger dunkler Strom.
| Lichtempfangseite | 5.8 × 5,8 mm |
| Verkapselung | Keramik |
| Kühlung | nicht gekühlt |
| Umkehrspannung (max) | 5 V |
| Spektraler Ansprechbereich | 340 bis 1000 nm |
| Höchstempfindliche Wellenlänge (typisch) | 720 nm |
Ansprechpartner: Miss. Xu
Telefon: 86+13352990255
