Produktdetails:
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Rückspannung: | 10 V | Leistungsdissipation: | 300 mW |
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GRENZSCHICHTTEMPERATUR: | 125°C | Betriebstemperaturbereich: | - 40 bis + 125 ℃ |
Lagertemperaturbereich: | - 40 bis + 125 ℃ | Soldering temperature: | 260℃ |
Hervorheben: | Planare Silizium PN-Photodiode geringer Dunkelstrom,TO-5 Gehäuse Photodiode Infrarotsensor,BPW21R Photodiode mit Garantie |
BPW21R Planare Silizium-PN-Fotodiode, geringer Dunkelstrom, TO-5-Gehäuse
MERKMALE
• Gehäusetyp: bedrahtet
• Gehäuseform: TO-5
• Abmessungen (in mm): Ø 8,13
• Strahlungsempfindliche Fläche (in mm2): 7,5
• Hohe Fotoempfindlichkeit
• Angepasst an die menschliche Augenempfindlichkeit
• Winkel der halben Empfindlichkeit: ϕ = ± 50°
• Hermetisch abgedichtetes Gehäuse
• Kathode mit Gehäuse verbunden
• Flaches Glasfenster
• Geringer Dunkelstrom
• Hoher Shunt-Widerstand
• Hohe Linearität
• Konform mit der RoHS-Richtlinie 2002/95/EG und in
Übereinstimmung mit der WEEE 2002/96/EG
ANWENDUNGEN
• Sensor für Belichtungs- und Farbmesszwecke
Spezifikation:
Vorwärtsspannung | 1,0-1,3 V |
Durchbruchspannung | 10 V |
Dunkelstrom | 2-30 nA |
Diodenkapazität | 1,2 nF |
Dunkelwiderstand | 38 GΩ |
Ansprechpartner: Xu
Telefon: 86+13352990255