Produktdetails:
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Light-emitting surface: | 3.0 mm | Package: | Metal |
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Package category: | TO-5 | Cooling: | Non-cooling type |
Reverse voltage (maximum value): | 50 V | Spectral response range: | 320 to 1060 nm |
Maximum sensitivity wavelength: | 920 nm | Photo-sensitivity: | 0.54 A/W |
Hervorheben: | mit einer Breite von mehr als 20 mm,high speed pulse photodiode sensor,mit einer Leistung von mehr als 50 W und |
Produktbeschreibung:
YJJ S3072 Silizium-PIN-Photodiode wird für die Hochgeschwindigkeits-Impulslichtdetektion in der optischen Weltraumübertragung verwendet
Eigenschaften:
Großflächige Hochgeschwindigkeits-Silizium-PIN-Photodiode
S3072 ist eine Silizium-PIN-Photodiode mit einer relativ großen Lichtempfangsfläche. Sie kann jedoch eine ausgezeichnete Frequenzantwort bei 45 MHz liefern. Diese Photodiode eignet sich für die optische Weltraumübertragung (Freiraum-Optikkomponenten) und die Hochgeschwindigkeits-Impulslichtdetektion.
Eigenschaften
- Lichtempfangsflächengröße: φ3,0 mm
- Grenzfrequenz: 45 MHz (VR = 24 V)
- Hohe Zuverlässigkeit: TO-5-Metallgehäuse
Detaillierte Parameter
Lichtempfangsfläche φ3,0 mm
Gehäuse Metall
Gehäusekategorie TO-5
Kühlung Nicht-Kühlungstyp
Sperrspannung (Maximalwert) 50 V
Spektralbereich 320 bis 1060 nm
Maximale Empfindlichkeitswellenlänge (typischer Wert) 920 nm
Fotoempfindlichkeit (typischer Wert) 0,54 A/W
Dunkelstrom (Maximalwert) 10000 pA
Grenzfrequenz (typischer Wert) 45 MHz
Sperrschichtkapazität (typischer Wert) 7 pF
Rauschenerzeugungsleistung (typischer Wert) 1,6×10-14 W/Hz1/2
Messbedingungen Ta = 25°C, typischer Wert, Fotoempfindlichkeit: λ = 780 nm, Dunkelstrom: VR = 24 V, Grenzfrequenz: VR = 24 V, Sperrschichtkapazität: VR = 24 V, f = 1 MHz, λ = λp, Rauschenerzeugungsleistung: VR = 24 V, λ = λp, sofern nicht anders angegeben
Spezifikationen:
Sperrspannung (Maximum) | 50 V |
Spektralbereich | 320 bis 1060 nm |
Photosensitive Fläche | 5 mm |
Kapselungstyp | TO-8 |
Ansprechpartner: Miss. Xu
Telefon: 86+13352990255