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Produktdetails:
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| Pakettyp: | Bis - 18 | Lichtempfindlicher Bereich: | φ0,3 mm |
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| Spektraler Antwortbereich: | 00,9 bis 1,7 μm | Spitzenempfindlichkeitswellenlänge (Typ.): | 10,55 μm |
| Lichtempfindlichkeit (typisch): | 1.1 a/w | Ausschnitt - Frequenz (Typ.): | 600 MHz |
| Hervorheben: | Infrarotfotoelektrische Sensoren für die Laserüberwachung,InGaAs-PIN-Fotodioden-Sensor,Laserüberwachungssystem |
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G12180-003A Infrarot-Photoelektrischer Sensor (InGaAs PIN-Fotodiode) für Laserüberwachungssysteme
1. Anwendungsbereiche:
2. Hauptmerkmale:
| Sensortyp | InGaAs PIN-Fotodiode | - |
| Gehäusetyp | TO-18 | - |
| Betriebsmodus | Photokonduktiv | - |
| Durchmesser der lichtempfindlichen Fläche | φ0,3 mm | - |
| Anzahl der Elemente | 1 | - |
| Kühlmethode | Nicht gekühlt | - |
| Spektrale Antwortbereich | 0,9 – 1,7 μm | - |
| Spitzenempfindlichkeitswellenlänge | ~1,55 μm | - |
| Fotosensitivität | Typ. 1,1 A/W | λ = 1,55 μm, Vₐ = 5V |
| Dunkelstrom | Max. 0,5 nA | Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃, Kein Licht |
| Grenzfrequenz (-3dB) | Typ. 600 MHz | Vᵣ = 5V, Rₗ = 50Ω, λ = 1,3 μm |
| Sperrschichtkapazität | Typ. 5 pF | Vᵣ = 5V, f = 1 MHz |
| Rauschäquivalente Leistung (NEP) | Typ. 4,2×10⁻¹⁵ W/Hz¹/² | λ = 1,55 μm, Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃ |
| Detektivität (D*) | Typ. 6,3×10¹² cm·Hz¹/²/W | λ = 1,55 μm, Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃ |
| Parallelwiderstand | 200 – 1000 MΩ | Vᵣ = 0V, Tₐ = 25℃, Kein Licht |
| Maximale Sperrspannung (Vᵣₘₐₓ) | 20 V | Tₐ = 25℃ |
| Fenstermaterial | Borosilikatglas | - |
| Betriebstemperaturbereich | -40℃ – 100℃ | - |
| Lagertemperaturbereich | -55℃ – 125℃ | - |
| Temperaturkoeffizient der Empfindlichkeit | 1,09 mal/℃ |
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Ansprechpartner: Miss. Xu
Telefon: 86+13352990255