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G12180-003A Infrarot-Fotoelektrische Sensor (InGaAs PIN-Fotodiode) für Laserüberwachungssysteme

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CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. zertifizierungen
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G12180-003A Infrarot-Fotoelektrische Sensor (InGaAs PIN-Fotodiode) für Laserüberwachungssysteme

G12180-003A Infrarot-Fotoelektrische Sensor (InGaAs PIN-Fotodiode) für Laserüberwachungssysteme
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Großes Bild :  G12180-003A Infrarot-Fotoelektrische Sensor (InGaAs PIN-Fotodiode) für Laserüberwachungssysteme

Produktdetails:
Herkunftsort: Japan
Modellnummer: G12180-003a
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1pcs
Preis: Verhandlungsfähig
Verpackung Informationen: Standardverpackung
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 5000pcs

G12180-003A Infrarot-Fotoelektrische Sensor (InGaAs PIN-Fotodiode) für Laserüberwachungssysteme

Beschreibung
Pakettyp: Bis - 18 Lichtempfindlicher Bereich: φ0,3 mm
Spektraler Antwortbereich: 00,9 bis 1,7 μm Spitzenempfindlichkeitswellenlänge (Typ.): 10,55 μm
Lichtempfindlichkeit (typisch): 1.1 a/w Ausschnitt - Frequenz (Typ.): 600 MHz
Hervorheben:

Infrarotfotoelektrische Sensoren für die Laserüberwachung

,

InGaAs-PIN-Fotodioden-Sensor

,

Laserüberwachungssystem

 

 

                   G12180-003A Infrarot-Photoelektrischer Sensor (InGaAs PIN-Fotodiode) für Laserüberwachungssysteme

 

1. Anwendungsbereiche:

  • Laserüberwachungssysteme: Ermöglicht die Echtzeit-Erkennung und Überwachung der Laserleistungsintensität in industriellen Laserbearbeitungsanlagen, medizinischen Lasergeräten und Forschungslaseraufbauten, um eine stabile Laserleistung zu gewährleisten.
  • Optische Leistungsmesser: Dient als Kernkomponente in optischen Leistungsmessgeräten, erfasst präzise Nahinfrarot (NIR) optische Leistungssignale für Anwendungen wie Glasfasertests und Laborphotometrie.
  • Lebenszyklus-Tests von Laserdioden: Hält dem Langzeitbetrieb stand und behält eine konsistente Reaktionsfähigkeit bei, was ihn für die Bewertung der Haltbarkeit und Leistungsdegradation von Laserdioden über ihre Lebensdauer hinweg geeignet macht.
  • Nahinfrarot (NIR) Photometrie: Ermöglicht die präzise Messung der Absorption, Transmission oder Reflexion von NIR-Licht in Bereichen wie biochemische Analyse, Materialwissenschaft und Umweltüberwachung.
  • Optische Kommunikationssysteme: Erkennt schnelle NIR-Optiksignale (z. B. in Wellenlängenbändern von 1,3 μm oder 1,55 μm) für den Einsatz in Glasfaser-Kommunikationstransceivern und gewährleistet eine zuverlässige Datenübertragung in Telekommunikationsnetzen.

2. Hauptmerkmale:

  • Breite NIR-Spektralantwort: Arbeitet in einem Wellenlängenbereich von 0,9–1,7 μm und deckt kritische Bänder für optische Kommunikation, Laseranwendungen und NIR-Photometrie ab.
  • Hohe Empfindlichkeit: Liefert eine typische Fotosensitivität von 1,1 A/W (bei einer Spitzenwellenlänge von ~1,55 μm), was die genaue Erkennung von NIR-Optiksignalen mit geringer Intensität ermöglicht.
  • Geringer Dunkelstrom: Weist einen maximalen Dunkelstrom von 0,5 nA (bei einer Sperrspannung VR = 5V) auf, minimiert Hintergrundrauschen und verbessert das Signal-Rausch-Verhältnis (SNR) für präzise Messungen.
  • Hohe Geschwindigkeit: Bietet eine typische Grenzfrequenz von 600 MHz und unterstützt die Hochgeschwindigkeits-Signalerfassung für Anwendungen wie schnelle optische Kommunikation oder Laserpulsüberwachung.
  • Kompaktes & Robustes Gehäuse: Untergebracht in einem TO-18-Gehäuse (einem Standard-Metallgehäuse), das mechanische Stabilität, einfache Integration in Schaltungsdesigns und Kompatibilität mit Standard-Optikmontagesystemen gewährleistet.
  • Großer Betriebstemperaturbereich: Funktioniert zuverlässig bei Temperaturen von -40°C bis 100°C, was ihn für raue Industrieumgebungen oder Außenanwendungen geeignet macht.
  • Geringe Sperrschichtkapazität: Hat eine typische Sperrschichtkapazität von 5 pF (VR = 5V), reduziert Signalverzerrungen und verbessert die Hochfrequenzleistung.
Sensortyp InGaAs PIN-Fotodiode -
Gehäusetyp TO-18 -
Betriebsmodus Photokonduktiv -
Durchmesser der lichtempfindlichen Fläche φ0,3 mm -
Anzahl der Elemente 1 -
Kühlmethode Nicht gekühlt -
Spektrale Antwortbereich 0,9 – 1,7 μm -
Spitzenempfindlichkeitswellenlänge ~1,55 μm -
Fotosensitivität Typ. 1,1 A/W λ = 1,55 μm, Vₐ = 5V
Dunkelstrom Max. 0,5 nA Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃, Kein Licht
Grenzfrequenz (-3dB) Typ. 600 MHz Vᵣ = 5V, Rₗ = 50Ω, λ = 1,3 μm
Sperrschichtkapazität Typ. 5 pF Vᵣ = 5V, f = 1 MHz
Rauschäquivalente Leistung (NEP) Typ. 4,2×10⁻¹⁵ W/Hz¹/² λ = 1,55 μm, Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃
Detektivität (D*) Typ. 6,3×10¹² cm·Hz¹/²/W λ = 1,55 μm, Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃
Parallelwiderstand 200 – 1000 MΩ Vᵣ = 0V, Tₐ = 25℃, Kein Licht
Maximale Sperrspannung (Vᵣₘₐₓ) 20 V Tₐ = 25℃
Fenstermaterial Borosilikatglas -
Betriebstemperaturbereich -40℃ – 100℃ -
Lagertemperaturbereich -55℃ – 125℃ -
Temperaturkoeffizient der Empfindlichkeit 1,09 mal/℃  

 

G12180-003A Infrarot-Fotoelektrische Sensor (InGaAs PIN-Fotodiode) für Laserüberwachungssysteme

 

Kontaktdaten
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Ansprechpartner: Miss. Xu

Telefon: 86+13352990255

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