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G12181-003A Infrarot-Fotoelektrische Sensor (InGaAs PIN-Fotodiode) für optische Kommunikationssysteme

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CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. zertifizierungen
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G12181-003A Infrarot-Fotoelektrische Sensor (InGaAs PIN-Fotodiode) für optische Kommunikationssysteme

G12181-003A Infrarot-Fotoelektrische Sensor (InGaAs PIN-Fotodiode) für optische Kommunikationssysteme
G12181-003A Infrarot-Fotoelektrische Sensor (InGaAs PIN-Fotodiode) für optische Kommunikationssysteme

Großes Bild :  G12181-003A Infrarot-Fotoelektrische Sensor (InGaAs PIN-Fotodiode) für optische Kommunikationssysteme

Produktdetails:
Herkunftsort: Japan
Modellnummer: G12181-003a
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1pcs
Preis: Verhandlungsfähig
Verpackung Informationen: Standardverpackung
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 5000pcs

G12181-003A Infrarot-Fotoelektrische Sensor (InGaAs PIN-Fotodiode) für optische Kommunikationssysteme

Beschreibung
Temperaturkoeffizient der Empfindlichkeit: 1,08 mal/℃ Lagertemperaturbereich: -55 ℃ -125 ℃
Betriebstemperaturbereich: -40 ℃ -100 ℃ Maximale Rückspannung (Vᵣₘₐₓ): 20 V
Weichenwiderstand: 300 ~ 1200 MΩ Kreuzungskapazitanz: Typ. 4 Pf
Hervorheben:

Infrarot-Fotoelektrische Sensoren für die optische Kommunikation

,

InGaAs-PIN-Fotodioden-Sensor

,

Fotoelektrischer Sensor mit InGaAs-Technologie

 

             G12181-003A Infrarot-Fotoelektrischer Sensor (InGaAs PIN-Photodiode) für optische Kommunikationssysteme   

 

Anwendungsbereiche:

  • Optische Kommunikationssysteme: Erkennt Hochgeschwindigkeits-NIR-Signale (1,3/1,55 μm-Bänder) in Glasfaser-Transceivern und unterstützt so eine zuverlässige Datenübertragung in Telekommunikationsnetzen.
  • Präzisions-Optische Leistungsmesser: Dient als Kernkomponente zur Messung der NIR-Optikleistung in Labortests, der Wartung von Glasfasern und der Laserkalibrierung.
  • Laserüberwachung & -prüfung: Ermöglicht die Echtzeitüberwachung der Laser-Ausgangsintensität (z. B. in Industrielasern, medizinischen Lasern) und die Lebenszyklusprüfung von Laserdioden.
  • Nah-Infrarot-Photometrie: Wird in der biochemischen Analyse, der Materialwissenschaft und der Umweltüberwachung zur Messung der NIR-Lichtabsorption, -transmission oder -reflexion eingesetzt.
  • Luft- und Raumfahrt & Verteidigung: Geeignet für NIR-basierte Zielerkennung, Fernerkundung und optische Führungssysteme (dank großem Temperaturbereich und geringem Rauschen).

Hauptmerkmale:

  • Breite NIR-Abdeckung: Der Spektralbereich von 0,9–1,7 μm stimmt mit den wichtigsten Wellenlängen für Kommunikations-, Laser- und Photometrieanwendungen überein.
  • Ultra-geringer Dunkelstrom: Der max. 0,3 nA Dunkelstrom minimiert das Hintergrundrauschen und gewährleistet ein hohes Signal-Rausch-Verhältnis (SNR) für die Detektion bei schwachem Licht.
  • Hochgeschwindigkeits-Reaktion: Die 800 MHz Grenzfrequenz unterstützt die schnelle Signalerkennung, ideal für optische Hochbandbreitenkommunikation oder die Überwachung von gepulsten Lasern.
  • Kompaktes & langlebiges Gehäuse: Das TO-18-Metallgehäuse bietet mechanische Stabilität, einfache Integration in Schaltungen und Kompatibilität mit Standard-Optikhalterungen.
  • Gleichmäßige Empfindlichkeit: Der niedrige Temperaturkoeffizient der Empfindlichkeit gewährleistet eine zuverlässige Leistung bei unterschiedlichen Umgebungstemperaturen.

Parameter

Spezifikation (Typ. / Max.)

Testbedingungen

Fotoaktive Fläche φ0,3 mm -
Anzahl der Sensorelemente 1 (Single-Element) -
Kühlungsmethode Ungekühlt (Passive Umgebungskühlung) -
Spektralbereich 0,9 – 1,7 μm Deckt kritische NIR-Bänder ab (z. B. 1,3/1,55 μm für Telekommunikation)
Wellenlänge der maximalen Empfindlichkeit ~1,55 μm -
Photoleitfähigkeit Typ. 1,1 A/W λ = 1,55 μm, Sperrspannung (Vᵣ) = 5V, Tₐ = 25℃
Dunkelstrom Max. 0,3 nA Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃, Kein einfallendes Licht
Grenzfrequenz (-3dB) Typ. 800 MHz Vᵣ = 5V, Lastwiderstand (Rₗ) = 50Ω, λ = 1,3 μm
Kapazität des Übergangs Typ. 4 pF Vᵣ = 5V, Frequenz (f) = 1 MHz
Rauschäquivalentleistung (NEP) Typ. 3,5×10⁻¹⁵ W/Hz¹/² λ = 1,55 μm, Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃
Detektivität (D*) Typ. 7,2×10¹² cm·Hz¹/²/W λ = 1,55 μm, Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃
Shunt-Widerstand 300 – 1200 MΩ Vᵣ = 0V, Tₐ = 25℃, Kein Licht
Maximale Sperrspannung (Vᵣₘₐₓ) 20 V Tₐ = 25℃
Betriebstemperaturbereich -40℃ – 100℃ Stabile Leistung in rauen Industrieumgebungen
Lagertemperaturbereich -55℃ – 125℃ -
Temperaturkoeffizient der Empfindlichkeit 1,08 mal/℃ Relativ zu 25℃, λ = 1,55 μm

 

G12181-003A Infrarot-Fotoelektrische Sensor (InGaAs PIN-Fotodiode) für optische Kommunikationssysteme 0

 

Kontaktdaten
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Ansprechpartner: Miss. Xu

Telefon: 86+13352990255

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