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Produktdetails:
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| Temperaturkoeffizient der Empfindlichkeit: | 1,08 mal/℃ | Lagertemperaturbereich: | -55 ℃ -125 ℃ |
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| Betriebstemperaturbereich: | -40 ℃ -100 ℃ | Maximale Rückspannung (Vᵣₘₐₓ): | 20 V |
| Weichenwiderstand: | 300 ~ 1200 MΩ | Kreuzungskapazitanz: | Typ. 4 Pf |
| Hervorheben: | Infrarot-Fotoelektrische Sensoren für die optische Kommunikation,InGaAs-PIN-Fotodioden-Sensor,Fotoelektrischer Sensor mit InGaAs-Technologie |
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G12181-003A Infrarot-Fotoelektrischer Sensor (InGaAs PIN-Photodiode) für optische Kommunikationssysteme
Anwendungsbereiche:
Hauptmerkmale:
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Parameter |
Spezifikation (Typ. / Max.) |
Testbedingungen |
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| Fotoaktive Fläche | φ0,3 mm | - |
| Anzahl der Sensorelemente | 1 (Single-Element) | - |
| Kühlungsmethode | Ungekühlt (Passive Umgebungskühlung) | - |
| Spektralbereich | 0,9 – 1,7 μm | Deckt kritische NIR-Bänder ab (z. B. 1,3/1,55 μm für Telekommunikation) |
| Wellenlänge der maximalen Empfindlichkeit | ~1,55 μm | - |
| Photoleitfähigkeit | Typ. 1,1 A/W | λ = 1,55 μm, Sperrspannung (Vᵣ) = 5V, Tₐ = 25℃ |
| Dunkelstrom | Max. 0,3 nA | Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃, Kein einfallendes Licht |
| Grenzfrequenz (-3dB) | Typ. 800 MHz | Vᵣ = 5V, Lastwiderstand (Rₗ) = 50Ω, λ = 1,3 μm |
| Kapazität des Übergangs | Typ. 4 pF | Vᵣ = 5V, Frequenz (f) = 1 MHz |
| Rauschäquivalentleistung (NEP) | Typ. 3,5×10⁻¹⁵ W/Hz¹/² | λ = 1,55 μm, Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃ |
| Detektivität (D*) | Typ. 7,2×10¹² cm·Hz¹/²/W | λ = 1,55 μm, Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃ |
| Shunt-Widerstand | 300 – 1200 MΩ | Vᵣ = 0V, Tₐ = 25℃, Kein Licht |
| Maximale Sperrspannung (Vᵣₘₐₓ) | 20 V | Tₐ = 25℃ |
| Betriebstemperaturbereich | -40℃ – 100℃ | Stabile Leistung in rauen Industrieumgebungen |
| Lagertemperaturbereich | -55℃ – 125℃ | - |
| Temperaturkoeffizient der Empfindlichkeit | 1,08 mal/℃ | Relativ zu 25℃, λ = 1,55 μm |
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Ansprechpartner: Miss. Xu
Telefon: 86+13352990255