Beschreibung des Produkts:
YJJ S12023-02 Silikonfotodiode im Nahen Infrarot-Typ für optische Entfernungsmessgeräte
Eigenschaften:
Niedrige Verzerrungsspannung, geeignet für das 800 nm-Band
Dies ist ein 800nm nahe-infrarot Silizium-APD, das bei einer niedrigen Bias-Spannung von 200V oder weniger funktionieren kann. Geeignet für FSO (Free Space Optics) und optische Reichweitenmessgeräte.
Produktmerkmale
Stabiler Betrieb unter niedriger Verzerrungsspannung
Hochgeschwindigkeitsantwort
Hohe Empfindlichkeit und geringer Lärm
Detaillierte Parameter
Typ Nahinfrarot (Low-Bias-Betrieb)
Lichtempfindlich
Metall in Kapseln
Der Verkapselungstyp ist TO-18
Spitzenempfindlichkeitswellenlänge (typischer Wert) 800 nm
Der Spektralbereich beträgt 400 bis 1000 nm
Empfindlichkeit (typischer Wert) 0,5a /W
Dunkler Strom (max.) 0,5 Na
Grenzfrequenz (typischer Wert) 1000 MHz
Verbindungskapazität (typisch) 1 pF
Ausfallspannung (typischer Wert) 150 V
Abbruchspannungskoeffizient (typischer Wert) 0,65 V/°C
Gewinn (typischer Wert) 100
Ta=25 °C, sofern nicht anders angegeben, Lichtempfindlichkeit: λ=800 nm, M=1
Spezifikationen:
| Lichtempfindliche Fläche |
0.2 mm |
| der Verkapselungstyp ist |
TO-18 |
| Spitzenempfindlichkeitswellenlänge (typischer Wert) |
800 nm |
| der Spektralanspruch ist |
400 bis 1000 nm |
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