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Produktdetails:
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| Spektralbereich: | 0,9 ~ 2,6 μm | Spitzenwellenlänge: | 2,3 μm |
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| Rücklaufquote (λp): | 1,0 ~ 1,3 A/W | Dunkle aktuelle ID: | 0,4 μA (typisch) |
| Diodenkapazität Cj: | 50–100 pF | Grenzfrequenz: | 20–50 MHz |
| Betriebstemperatur: | -40℃ ~ +85℃ | Rauschäquivalente Leistung NEP: | ~4–9×10 |
| Hervorheben: | InGaAsPIN-Fotodioden-Hochgeschwindigkeitsoptische Detektion,Infrarot-Langwellenfotodiode,Infrarotfotoelektrischer Sensor InGaAsPIN |
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Produktbeschreibung:
YJJ G12183-003K InGaAsPIN-Fotodiode für Hochgeschwindigkeits-Optische Detektion im Nahinfrarot- und Ferninfrarotbereich
Merkmale:
Empfindliche Fläche: φ1mm
Produkteigenschaften
Geringes Rauschen
Geringe Sperrschichtkapazität
Geringer Dunkelstrom
Empfindliche Fläche: φ1mm
Detaillierte Parameter
Die empfindliche Fläche beträgt φ1mm
Die Anzahl der Pixel beträgt 1
Gehäuse Metall
Gehäusetyp: TO-18
Kühlmodus Nicht gekühlt
Spektraler Ansprechbereich ist 0,9 bis 1,7 μm
Die Wellenlänge der Spitzenempfindlichkeit (typischer Wert) beträgt 1,55 μm
Lichtempfindlichkeit (typischer Wert) 1,1 A/W
Dunkelstrom (Max.) 4 nA
Grenzfrequenz (typischer Wert) 60 MHz
Sperrschichtkapazität (typischer Wert) 55 pF
Rauschäquivalente Leistung (typischer Wert) 1,4×10-14 W/Hz1/2
Typ. Ta=25 ℃, sofern nicht anders angegeben, Lichtempfindlichkeit: λ=λp, Dunkelstrom: VR= 5V, Grenzfrequenz: VR= 5V, RL= 50Ω, -3 dB, Anschlusskapazität: VR= 5V, f= 1MHz.
Spezifikationen:
| Lichtempfindliche Fläche | 0,2mm |
| Der Gehäusetyp ist | TO-18 |
| Wellenlänge der Spitzenempfindlichkeit (typischer Wert) | 800 nm |
| Spektraler Ansprechbereich ist | 400 bis 1000 nm |
| Lichtempfindliche Fläche | 0,2mm |
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Ansprechpartner: Miss. Xu
Telefon: 86+13352990255