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Produktdetails:
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| Chip Size: | 1 mm2 | Verkapselung: | TO46 |
|---|---|---|---|
| Material: | Saphirfenster, hohe Empfindlichkeit, niedriger Dunkelstrom | Wartewellenlänge: | 290-440 Nanometer |
| Typische Anwendung: | Kurierende UVüberwachung | ||
| Hervorheben: | UVC Sensor-Modul GaN,UVC Sensor-Modul-UVkurieren,SIC-Fotodiode |
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Produkt-Beschreibung:
GT-UVV-LW GaN UV-Sensor wird für UV-kurierende Überwachungsgas-Schadstoff-Entdeckung benutzt
Eigenschaften:
Allgemeine Eigenschaften: L Indium-Gallium-Nitrid Grundmaterial
L photo-voltaische Modusoperation
L TO-46 Metallgehäuse
L hohes responsivity und niedriger Dunkelstrom
Anwendungen: UVled-Überwachung, UV-Strahlungs-Dosismaß, UVkurieren
Parameter-Symbol-Wert-Einheits-Maximalleistungen
OperationsTemperaturspanne Topt -25-85 OC
Lagertemperaturbereich Tsto -40-85 OC
Löttemperatur (3 s) Tsol 260 OC
Sperrspannung Vr-maximales -10 V
Allgemeines Eigenschaften (25 OC) Dunkelstrom mm2 der Chipgröße A 1 (Vr = V) Identifikation -1
<1 nA="" Temperature="" coefficient="" Tc="" 0="">
Spezifikationen:
| Spezifikationen | Parameter |
| Höchstwellenlänge | 390nm |
| Helle Empfindlichkeit | 0.289A/W |
| Spektralwartestrecke (R=0.1×Rmax) | - 290-440 Nanometer |
| UV-sichtbares Ablehnungsverhältnis (Rmax/R400 Nanometer) | - >10 |
Ansprechpartner: Xu
Telefon: 86+13352990255
