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Produktdetails:
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| Chipgröße: | 1 mm2 | Paket: | SMD 3535 |
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| Eigenschaften: | Hochtransparentes Quarzfenster, hohe Empfindlichkeit, geringer dunkler Strom | Wartewellenlänge: | 290 bis 440 nm |
| Hervorheben: | InGaN-ansässiger UVfotodioden-Sensor,UVfotodioden-Sensor-Kurieren,Fotodioden-UVdetektor |
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Beschreibung des Produkts:
GS-UVV-3535LCW InGaN-basierter UV-Fotodiodensorsensor zur Messung von Kurungsstrahlung
Eigenschaften:
Allgemeine Merkmale:
l Material auf der Grundlage von Indium- und Galliumnitrid
L Betrieb im Photovoltaikmodus
L SMD 3535 Keramikpaket mit Quarzfenster
L Hohe Reaktionsfähigkeit und geringer dunkler Strom
Anwendungen: UV-LED-Überwachung, UV-Strahlendosismessung, UV-Heilung
Parameter-Symbol-Wert-Einheit Höchstwerte
Betriebstemperaturbereich Topt -25-85 oC
Lagertemperaturbereich Tsto -40-85 oC
Lötemperatur (3 s) Tsol 260 oC
Umkehrspannung Vr-max -10 V
Allgemeine Merkmale (25 oC) Chipgröße A 1 mm2 Dunkler Strom (Vr = -1 V) Id <1 nA Temperaturkoeffizient Tc 0,05 %/ oC Kapazität (bei 0 V und 1 MHz) Cp 60 pF> <1 nA Temperaturkoeffizient Tc 0.065 %/ oC Kapazität (bei 0 V und 1 MHz) Cp 1.7 pF>
< 1 nA Temperaturkoeffizient (@ 265 nm) Tc 0,05 %/ oC Kapazität (bei 0 V und 1 MHz) Cp 18 p>
Spezifikationen:
| Wellenlänge der Spitzenreaktivität | λ p 390 nm |
| Spitzenreaktivität (bei 385 nm) | Rmax 0,289 A/W |
| Spektraler Ansprechbereich (R=0,1 × Rmax) | 290 bis 440 nm |
| UV-sichtbares Abstoßungsverhältnis (Rmax/R450 nm) | - > 10 - |
Ansprechpartner: Xu
Telefon: 86+13352990255
