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Produktdetails:
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| Chipgröße: | 1 mm2 | Paket: | SMD 3535 |
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| Eigenschaften: | Hochtransparentes Quarzfenster, hohe Empfindlichkeit, geringer dunkler Strom | Wartewellenlänge: | 230 bis 325 nm |
| Hervorheben: | UVB-UVfotodioden-Sensor,UVfotodioden-Sensor GS-UVB-3535LQC,SIC-UVfotodiode |
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Beschreibung des Produkts:
GS-UVB-3535LQC UVB SIC UV-Fotodioden-Sensor UV-B-Strahlendosismessung
Eigenschaften:
Allgemeine Merkmale:
l Selektive Reaktion auf UVB+UVC-Band
L Betrieb im Photovoltaikmodus
L SMD 3535 Keramikpaket mit Quarzfenster
L Hohe Reaktionsfähigkeit und geringer dunkler Strom
Anwendungen:
Überwachung der UV-B-Lampe, Messung der UV-B-Strahlendosis
Spezifikationen: Parameter Symbol Wert Einheit Höchstwerte
Betriebstemperaturbereich Topt -25-85 oC
Lagertemperaturbereich Tsto -40-80 oC
Lötemperatur (3 s) Tsol 260 oC
Umkehrspannung Vr-max -10 V
Allgemeine Merkmale (25 oC) Chipgröße A 1 mm2 Dunkler Strom (Vr = -5 V) Id <1 nA Temperaturkoeffizient (@265 nm) Tc 0.05 %/ oC Kapazität (bei 0 V und 1 MHz) Cp 18 pF> < 1 nA Temperaturkoeffizient Tc 0.065 %/ oC Kapazität (bei 0 V und 1 MHz) Cp 1,7 pF>
< 1 nA Temperaturkoeffizient (@ 265 nm) Tc 0,05 %/ oC Kapazität (bei 0 V und 1 MHz) Cp 18 p>
Spezifikationen:
| Wellenlänge der Spitzenreaktivität | λ p 290 nm |
| Spitzenreaktivität (bei 385 nm) | Rmax 0,129 A/W |
| Spektraler Ansprechbereich (R=0,1 × Rmax) | 230 bis 325 nm |
| UV-sichtbares Abstoßungsverhältnis (Rmax/R450 nm) | - > 10 - |
Ansprechpartner: Xu
Telefon: 86+13352990255
