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Produktdetails:
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| Chipgröße: | 1 mm2 | Verkapselung: | TO46 |
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| Wartewellenlänge: | 290 bis 440 nm | Typische Anwendung: | Überwachung der UV-Aufhärtung |
| Hervorheben: | UVC Sensor-Modul GaN,UVC Sensor-Modul-UVkurieren,SIC-Fotodiode |
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Beschreibung des Produkts:
Betrieb im PV-Modus mit UV-Fotodioden auf Basis von GT-UVV-LW InGaN
Eigenschaften:
Allgemeine Merkmale: l Material auf der Grundlage von Indium-Galliumnitrid
L Betrieb im Photovoltaikmodus
L TO-46 Metallgehäuse
L Hohe Reaktionsfähigkeit und geringer dunkler Strom
Anwendungen: UV-LED-Überwachung, UV-Strahlendosismessung, UV-Heilung
Parameter-Symbol-Wert-Einheit Höchstwerte
Betriebstemperaturbereich Topt -25-85 oC
Lagertemperaturbereich Tsto -40-85 oC
Lötemperatur (3 s) Tsol 260 oC
Umkehrspannung Vr-max -10 V
Allgemeine Merkmale (25 oC) Chipgröße A 1 mm2 Dunkler Strom (Vr = -1 V) Id
< 1 nA Temperaturkoeffizient Tc 0,05 %/ oC Kapazität (bei 0 V und 1 MHz) Cp 60 p>
Spezifikationen:
| Spezifikationen | Parameter |
| Spitzenwellenlänge | 390 nm |
| Lichtempfindlichkeit | 0.289A/W |
| Spektraler Ansprechbereich (R=0,1 × Rmax) | - 290 bis 440 nm |
| UV-sichtbare Abstoßungsquote (Rmax/R400 nm) | - > 10 |
Ansprechpartner: Xu
Telefon: 86+13352990255
