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Produktdetails:
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| Chipgröße: | 4 mm2 | Paket: | SMD 5050 |
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| Merkmale: | Hochtransparentes Quarzfenster, hohe Empfindlichkeit, geringer dunkler Strom | Wartewellenlänge: | 210-370 nm |
| Hervorheben: | UVfotodioden-Sensor-Gasdetektion,UVsensor der fotodioden-4mm2,UVfoto-Diode |
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Produktbeschreibung:
GS-ABC-5050XLQ GaN-basierte UV-Photodiode, photovoltaischer Betriebsmodus
Eigenschaften:
l UVA+UVB+UVC Photodiode
l Photovoltaischer Betriebsmodus
l SMD 5050 Keramikgehäuse mit Quarzfenster
l Gute Blindheit gegenüber sichtbarem Licht
l Hohe Empfindlichkeit und geringer Dunkelstrom
Anwendungen:UV-Index-Überwachung, UV-Strahlungsdosis-Messung, Flammenerkennung Spezifikationen: Parameter Symbol Wert Einheit Maximale Nennwerte
Betriebstemperaturbereich Topt -25-85 °C
Lagertemperaturbereich Tsto -40-85 °C
Löttemperatur (3 s) Tsol 260 °C
Sperrspannung Vr-max -10 V
Allgemeine Eigenschaften (25 °C) Chipgröße A 4 mm2 Dunkelstrom (Vr = -1 V) Id
<1 nA Temperature coefficient (@265 nm) Tc 0.05 %>
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Spezifikationen:
| Wellenlänge der maximalen Empfindlichkeit | λ p 355 nm |
| Maximale Empfindlichkeit (bei 385 nm) | Rmax 0,20 A/W |
| Spektralbereich (R=0,1×Rmax) | 210-370 nm |
| UV-Sichtbar-Rejektionsverhältnis (Rmax/R450 nm) | - >10 - |
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Ansprechpartner: Xu
Telefon: 86+13352990255