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S1337-33BQ Si-Photodiode für UV- bis IR-Präzisionsphotometrie, geringe Kapazität

Bescheinigung
CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. zertifizierungen
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S1337-33BQ Si-Photodiode für UV- bis IR-Präzisionsphotometrie, geringe Kapazität

S1337-33BQ Si-Photodiode für UV- bis IR-Präzisionsphotometrie, geringe Kapazität
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Großes Bild :  S1337-33BQ Si-Photodiode für UV- bis IR-Präzisionsphotometrie, geringe Kapazität

Produktdetails:
Place of Origin: Japan
Markenname: Hamamatsu
Model Number: S1337-33BQ
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1
Verpackung Informationen: Standardpaket
Lieferzeit: 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 3000 Stück/Monat

S1337-33BQ Si-Photodiode für UV- bis IR-Präzisionsphotometrie, geringe Kapazität

Beschreibung
Lichtempfindlicher Bereich: × 2,4 2,4 Millimeter Paket: Keramik
Kühlung: nicht gekühlt Umkehrspannung (max.): 5 v
Hervorheben:

Ultraempfindlicher UV-Fotodioden-Sensor

,

UV-Fotodioden-Sensor mit geringer Geräuschbelastung

,

UV-Sensor vom Typ Photodiode

S1337-33BQ Si-Photodiode für UV- bis IR-Präzisionsphotometrie, geringe Kapazität

 

Diese Si-Fotodioden sind im UV- bis Nahinfrarotbereich empfindlich. Sie eignen sich für die Detektion von schwachem Licht in der Analyse
und dergleichen.

 

Eigenschaften
Hoche UV-Empfindlichkeit: QE75% (=200 nm)
Geringe Kapazität

 

Anwendungen
Analytische Geräte
Optische Messgeräte

 

Spezifikation:

Spektralbereich
190 bis 1100 nm
Wellenlänge maximale Empfindlichkeit (typ.) 960 nm
Photoleitfähigkeit (typ.) 0,5 A/W
Dunkelstrom (max.) 30 pA
Anstiegszeit (typ.) 0,2 μs
Anschlusskapazität (typ.) 65 pF
Rauschenäquivalentleistung (typ.) 8,1×10-15 W/Hz1/2


 

Kontaktdaten
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Ansprechpartner: Xu

Telefon: 86+13352990255

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