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G8370-10 InGaAs PIN Photodiode Niedrigdunkelstrom LD-Leistungsmonitor

Bescheinigung
CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. zertifizierungen
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G8370-10 InGaAs PIN Photodiode Niedrigdunkelstrom LD-Leistungsmonitor

G8370-10 InGaAs PIN Photodiode Niedrigdunkelstrom LD-Leistungsmonitor
G8370-10 InGaAs PIN Photodiode Niedrigdunkelstrom LD-Leistungsmonitor G8370-10 InGaAs PIN Photodiode Niedrigdunkelstrom LD-Leistungsmonitor G8370-10 InGaAs PIN Photodiode Niedrigdunkelstrom LD-Leistungsmonitor G8370-10 InGaAs PIN Photodiode Niedrigdunkelstrom LD-Leistungsmonitor G8370-10 InGaAs PIN Photodiode Niedrigdunkelstrom LD-Leistungsmonitor

Großes Bild :  G8370-10 InGaAs PIN Photodiode Niedrigdunkelstrom LD-Leistungsmonitor

Produktdetails:
Place of Origin: Japan
Markenname: Hamamatsu
Model Number: G8370-10
Zahlung und Versand AGB:
Packaging Details: Standard Package
Delivery Time: 3-5workingdays
Payment Terms: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

G8370-10 InGaAs PIN Photodiode Niedrigdunkelstrom LD-Leistungsmonitor

Beschreibung
Active area: D10mm Reverse Voltage: 1V
Operating temperature: -25 to +70℃ Storage temperature: -25 to +70℃
Spectral response range: 0.9 to 1.7um
Hervorheben:

LD-Leistungsmonitor PIN-Fotodiode

,

PIN-Fotodiode mit niedrigem dunklem Strom

G8370-10 InGaAs PIN Photodiode Niedrigdunkelstrom LD-Leistungsmonitor

Eigenschaften
1Große aktive Fläche: ф10 mm
2Hohe Empfindlichkeit: 0,95 A/W typisch.
3Niedriger dunkler Strom.
4Niedrige PDL: 5 mdB typisch, maximal 10 mdB.
5. Nicht-Einheitlichkeit der Fotoantwort: typisch ±2%.

Anwendungen
1. BLD-Leistungsmonitor
2. LD-Alterungsgeräte

G8370-10 InGaAs PIN Photodiode Niedrigdunkelstrom LD-Leistungsmonitor 0

Spektraler Ansprechbereich 00,9 bis 1,7 mm
Spitzenempfindlichkeitswellenlänge 1.55um
Fotoempfindlichkeit 0.8-0.85A/W
Dunkler Strom 0.2 bis 2 uA
Shuntwiderstand 50 KΩ

Kontaktdaten
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Ansprechpartner: Xu

Telefon: 86+13352990255

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