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S1226-5BQ SI Pin Photodiode für UV- bis sichtbare Präzisionsfotometrie unterdrückt Nahe-IR-Empfindlichkeit

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S1226-5BQ SI Pin Photodiode für UV- bis sichtbare Präzisionsfotometrie unterdrückt Nahe-IR-Empfindlichkeit

S1226-5BQ SI Pin Photodiode für UV- bis sichtbare Präzisionsfotometrie unterdrückt Nahe-IR-Empfindlichkeit
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Großes Bild :  S1226-5BQ SI Pin Photodiode für UV- bis sichtbare Präzisionsfotometrie unterdrückt Nahe-IR-Empfindlichkeit

Produktdetails:
Herkunftsort: Japan
Markenname: Hamamatsu
Modellnummer: S1226-5BQ
Zahlung und Versand AGB:
Verpackung Informationen: Standardpaket
Lieferzeit: 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

S1226-5BQ SI Pin Photodiode für UV- bis sichtbare Präzisionsfotometrie unterdrückt Nahe-IR-Empfindlichkeit

Beschreibung
Paket: TO-5 Größe der lichtempfindlichen Fläche: 2.4*2,4 mm
Umkehrspannung: 5V FUNKTIONIERENDES TEMPARATURE: -40~+100℃
Speichertemperatur: -55 zu 125℃
Hervorheben:

Nähe IR-Empfindlichkeit Pin Photodiode

S1226-5BQ SI Pin Photodiode für UV- bis sichtbare Präzisionsfotometrie unterdrückt Nahe-IR-Empfindlichkeit

Eigenschaften
1. Unterdrückt in der Nähe von IR-Empfindlichkeit
2Hohe Empfindlichkeit in der UV-Region (Quarzglasart)
3Niedriger dunkler Strom.
4. Hohe Zuverlässigkeit

Anwendungen
1. Analyseausrüstung
2- optische Messgeräte usw.

Lichtempfindlichkeit 0.10-0.12A/W
Kurzschlussstrom 2.2-2.9 uA
Dunkler Strom 5pA
Temp. Koeffizient 1.12
Aufstiegszeit 0.5us
Kapazität des Endgeräts 160 pF

S1226-5BQ SI Pin Photodiode für UV- bis sichtbare Präzisionsfotometrie unterdrückt Nahe-IR-Empfindlichkeit 0

Kontaktdaten
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Ansprechpartner: Xu

Telefon: 86+13352990255

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