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S1226-8BK Si PhotodiodeSuppressed Near IR Sensitivity UV to Visible

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CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. zertifizierungen
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S1226-8BK Si PhotodiodeSuppressed Near IR Sensitivity UV to Visible

S1226-8BK Si PhotodiodeSuppressed Near IR Sensitivity UV to Visible
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Großes Bild :  S1226-8BK Si PhotodiodeSuppressed Near IR Sensitivity UV to Visible

Produktdetails:
Herkunftsort: Japan
Markenname: Hamamatsu
Modellnummer: S1226-8BK
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1
Preis: Verhandlungsfähig
Verpackung Informationen: Standardbox
Lieferzeit: 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 3000 Prozent/Monate
Kontakt

S1226-8BK Si PhotodiodeSuppressed Near IR Sensitivity UV to Visible

Beschreibung
Paket: TO-8 Größe der lichtempfindlichen Fläche: 5.8*5.8mm
Umkehrspannung VR Max: 5v Betriebstemperatur: -40 bis +100°C
Hervorheben:

UV photodiode sensor with suppressed IR

,

Si photodiode for UV to visible

,

S1226-8BK photodiode near IR suppressed

S1226-8BK Si PhotodiodeSuppressed Near IR Sensitivity UV to Visible

 

Features
Suppressed near IR sensitivity
High sensitivity in UV region (quartz glass type)
Low dark current
High reliability

 

Applications
>Analytical equipment
>Optical measurement equipment, etc.

 

Specification:

Spectral response range
 320 to 1000 nm
Peak sensitivity wavelength (typ.) 720 nm
Photosensitivity (typ.) 0.36 A/W
Dark current (max.) 20 pA
Rise time (typ.) 2 μs
Terminal capacitance (typ.) 1200 pF
Noise equivalent power (typ.) 5.0×10-15 W/Hz1/2

S1226-8BK Si PhotodiodeSuppressed Near IR Sensitivity UV to Visible 0

Größe und Tag:

UVflammen-Sensor-Solarvorhänge,

UVsensor der flammen-0.25mm2,

370 Nanometer UV-Licht-Entdeckungs-Sensor

Kontaktdaten
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Ansprechpartner: Xu

Telefon: 86+13352990255

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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